上面的圖看不了？

圖！

我來分析下：

一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。

新人迷惑中。。。。求正解~！

學習，

這是抗上電沖擊吧！

這個電路要是能再精減一下就好了。

學習了，能否將此電路參數貼出來，參考一下。