請問用IGBT做全橋時，其驅動電源和輸入電壓有什么厲害關系嗎，比如驅動電壓要一直有這樣是對的嗎
這里輸入電壓為高壓直流，
日本SANKEN（三墾/三肯）在大陸市場推廣太陽能逆變器專用MOSFET。主要有以下規格：500V/42A、600V/34A和800V/31A。特征如下：
高耐圧MOS-FET 低RDS(on)品 VDSS 500V to 800V High Reliability TO-3P PKG
我也有一事請問大家，輸入電壓1400V，全橋變頻輸出，純電阻負載，可用耐壓1200V的IGBT嗎？
謝謝！
