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MOS問(wèn)題求救

N-channel MOS 在GS并一個(gè)10K RES,請(qǐng)問(wèn)這是為什么,我沒(méi)看懂
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ccps
LV.7
2
2011-01-05 08:46
mos關(guān)閉時(shí)為柵源之間的電容提供泄放電荷的通道,加快mos的關(guān)閉,還有就是防止靜電
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Davids14
LV.2
3
2011-01-05 09:50
@ccps
mos關(guān)閉時(shí)為柵源之間的電容提供泄放電荷的通道,加快mos的關(guān)閉,還有就是防止靜電

感恩,我在電源網(wǎng)提了好幾個(gè)問(wèn)題,你是第一個(gè)回答我的人,謝謝

但是我有點(diǎn)疑問(wèn),我以前做低壓DC-DC buck電路時(shí)用到的MOS都沒(méi)有用這種方式,極間電容其實(shí)也很大(Ciss=1000pF +),并且開(kāi)關(guān)頻率很高(300K)

現(xiàn)在做的推挽top式 頻率40K,有這個(gè)必要嗎,我不太覺(jué)得

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ccps
LV.7
4
2011-01-05 10:07
@Davids14
感恩,我在電源網(wǎng)提了好幾個(gè)問(wèn)題,你是第一個(gè)回答我的人,謝謝但是我有點(diǎn)疑問(wèn),我以前做低壓DC-DCbuck電路時(shí)用到的MOS都沒(méi)有用這種方式,極間電容其實(shí)也很大(Ciss=1000pF+),并且開(kāi)關(guān)頻率很高(300K)現(xiàn)在做的推挽top式頻率40K,有這個(gè)必要嗎,我不太覺(jué)得
在使用無(wú)靜電消除措施的焊接過(guò)程中,此電阻的作用不容忽視.如果有靜電措施了電阻就可有可無(wú)了
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Davids14
LV.2
5
2011-01-05 10:30
@ccps
在使用無(wú)靜電消除措施的焊接過(guò)程中,此電阻的作用不容忽視.如果有靜電措施了電阻就可有可無(wú)了
排長(zhǎng)!你可以幫我看看這個(gè)問(wèn)題嗎,現(xiàn)在2個(gè)MOS在上升沿都有這樣的shoulder,該怎么分析
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ccps
LV.7
6
2011-01-05 17:19
@Davids14
[圖片]排長(zhǎng)!你可以幫我看看這個(gè)問(wèn)題嗎,現(xiàn)在2個(gè)MOS在上升沿都有這樣的shoulder,該怎么分析
我也是個(gè)新手,具體怎么消除尖峰我也不清楚了,是不是吸收電路沒(méi)有做好~~
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Davids14
LV.2
7
2011-01-06 09:47
@ccps
[圖片]我也是個(gè)新手,具體怎么消除尖峰我也不清楚了,是不是吸收電路沒(méi)有做好~~
這個(gè)是Vgs開(kāi)關(guān)的波形啊
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ccps
LV.7
8
2011-01-06 10:19
@Davids14
這個(gè)是Vgs開(kāi)關(guān)的波形啊
哦,驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形,你的那條綠線是什么?
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Davids14
LV.2
9
2011-01-06 11:42
@ccps
哦,驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形,你的那條綠線是什么?
現(xiàn)在做的推挽top式 頻率40K, 這個(gè)是兩個(gè)MOS的波形,上升沿是其中一個(gè)MOS的開(kāi)的時(shí)候的,綠線是另外一個(gè)MOS的
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2011-01-06 11:55
@Davids14
感恩,我在電源網(wǎng)提了好幾個(gè)問(wèn)題,你是第一個(gè)回答我的人,謝謝但是我有點(diǎn)疑問(wèn),我以前做低壓DC-DCbuck電路時(shí)用到的MOS都沒(méi)有用這種方式,極間電容其實(shí)也很大(Ciss=1000pF+),并且開(kāi)關(guān)頻率很高(300K)現(xiàn)在做的推挽top式頻率40K,有這個(gè)必要嗎,我不太覺(jué)得

是否要裝這個(gè)電阻,還有驅(qū)動(dòng)電路有關(guān),但裝上可以安全一點(diǎn)。

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心中有冰
LV.11
11
2011-01-07 08:56
@Davids14
[圖片]排長(zhǎng)!你可以幫我看看這個(gè)問(wèn)題嗎,現(xiàn)在2個(gè)MOS在上升沿都有這樣的shoulder,該怎么分析

你指的是黃線波形那個(gè)下垂點(diǎn)嗎

這個(gè)是MOSFET的米勒效應(yīng)引起的,從波形看你的驅(qū)動(dòng)似乎不足

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Davids14
LV.2
12
2011-01-07 16:14
@心中有冰
你指的是黃線波形那個(gè)下垂點(diǎn)嗎這個(gè)是MOSFET的米勒效應(yīng)引起的,從波形看你的驅(qū)動(dòng)似乎不足

感謝師長(zhǎng)的回答,我也試過(guò)更換Rg,之前是10ohm,現(xiàn)在我又并了顆10ohm,Rg=5ohm左右,波形還是這樣的,驅(qū)動(dòng)沒(méi)接什么,IC出來(lái)就只有這個(gè)Rg的。

另外我想問(wèn)一下這個(gè)這個(gè)時(shí)間很短,算不算bug

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心中有冰
LV.11
13
2011-01-07 17:05
@Davids14
感謝師長(zhǎng)的回答,我也試過(guò)更換Rg,之前是10ohm,現(xiàn)在我又并了顆10ohm,Rg=5ohm左右,波形還是這樣的,驅(qū)動(dòng)沒(méi)接什么,IC出來(lái)就只有這個(gè)Rg的。另外我想問(wèn)一下這個(gè)這個(gè)時(shí)間很短,算不算bug

這個(gè)是幾乎所有的MOSFET都有的一個(gè)特性

一般是個(gè)平臺(tái),如果下垂驅(qū)動(dòng)電路肯定有點(diǎn)問(wèn)題,你看看驅(qū)動(dòng)電壓是多高?

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Davids14
LV.2
14
2011-01-09 11:37
@心中有冰
這個(gè)是幾乎所有的MOSFET都有的一個(gè)特性一般是個(gè)平臺(tái),如果下垂驅(qū)動(dòng)電路肯定有點(diǎn)問(wèn)題,你看看驅(qū)動(dòng)電壓是多高?
驅(qū)動(dòng)電壓如上圖,13V左右
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心中有冰
LV.11
15
2011-01-09 11:51
@Davids14
驅(qū)動(dòng)電壓如上圖,13V左右

其實(shí)這跟MOSFET本身的Qgs是有關(guān)系的,你試著提高驅(qū)動(dòng)電壓,看那個(gè)下垂的點(diǎn)是否能變平坦

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jazzezhao
LV.3
16
2011-01-24 15:30

日本SANKEN(三墾/三肯)在大陸市場(chǎng)推廣太陽(yáng)能逆變器專用MOSFET。主要有以下規(guī)格:500V/42A、600V/34A和800V/31A。特征如下:

高耐圧MOS-FET
低RDS(on)品
VDSS 500V to  800V
High Reliability
TO-3P PKG

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