請問圖中LM5020供電部分是如何工作的，紅框部分。
規格書中VCCmax是15V，這里好像要遠超15V的，（母線輸入為9~42Vdc）
請幫忙解釋一下，謝謝。
LM5020供電部分電路疑問
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@讓你記得我的好
LMV431和Q1組成了一個線性穩壓電源。穩壓值在11V左右。你可以自己計算一下。LMV431的基準值應該是1.25V的。
這個電路更像是為提高低壓端效率而設
1、當輸入電壓低于11V時，圖中的Q1被導通，這時芯片的供電由紅框中的電路供電，經R13的電路供電電流降低，當輸入電壓高時這個電路應該是斷開的，而芯片的供電由R13及芯片內部產生，這種方式在國NS芯片做小功率的時比較多見。
2、不知道樓上大哥是怎么計算出來11V這個數值的，可不可以給出計算的方式，大家看一下，我想提醒樓上大哥的是，這個電路里，輸入端是沒有電阻的，所以我很難看出VCC被穩在11V（如果樓上大哥成立的話，好像管子也不對），請樓上大哥再看一下。
3、最一開始，我把他看成了一個輸入過壓保護電路，可是算了一下，又看了一下拓撲感覺也不對，分析更像是一條那樣，可是我疑惑的是，如果為了在這么窄的范圍提高效率用這種電路成本投入好像不太值，畢竟要用兩個半導體，其中一個還是431。所以我很懷疑我的判斷而是有的地方我還沒注意到，就像樓上大哥所說就是一個輔助電源。
4、這個電路或多或少有點問題，首先是上電瞬間，Q1有被電流擊穿的可能，樓主可以做幾千次開關機試一下，高低端都試一下。第二個問題是，如果這個電路就是為了提高效率而設我判斷沒錯，在高壓端431被拉低（有可能低到1點幾伏），而VCC由芯片提供了7.7V電壓，那么Q1的Vbe反向電壓就有可能到5V（有的管子是6V），從而擊穿Q1。你自已查Q1參數。這兩種損壞，到了生產時，是很難分清。
5、你所說的VCC電壓，在你的電路里不用擔心，如果我上面的分析成立，你的VCC不會高于11V，你的芯片在輸入大于12V時，VCC應在7.7V左右。你可以量一下看一下。
對于樓主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同條件再測一次效率，看看低端效率。
還要在加有Q1時，在高端測一下VCC電壓，如果電壓大于8V以上，那就是我錯了，如果是7.7V，那你調低輸入到11V以下，看看VCC是不是約等于輸入電壓（低0.4左右）。如果是那我的判斷就應該沒錯。
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@化雪
這個電路更像是為提高低壓端效率而設1、當輸入電壓低于11V時，圖中的Q1被導通，這時芯片的供電由紅框中的電路供電，經R13的電路供電電流降低，當輸入電壓高時這個電路應該是斷開的，而芯片的供電由R13及芯片內部產生，這種方式在國NS芯片做小功率的時比較多見。2、不知道樓上大哥是怎么計算出來11V這個數值的，可不可以給出計算的方式，大家看一下，我想提醒樓上大哥的是，這個電路里，輸入端是沒有電阻的，所以我很難看出VCC被穩在11V（如果樓上大哥成立的話，好像管子也不對），請樓上大哥再看一下。3、最一開始，我把他看成了一個輸入過壓保護電路，可是算了一下，又看了一下拓撲感覺也不對，分析更像是一條那樣，可是我疑惑的是，如果為了在這么窄的范圍提高效率用這種電路成本投入好像不太值，畢竟要用兩個半導體，其中一個還是431。所以我很懷疑我的判斷而是有的地方我還沒注意到，就像樓上大哥所說就是一個輔助電源。4、這個電路或多或少有點問題，首先是上電瞬間，Q1有被電流擊穿的可能，樓主可以做幾千次開關機試一下，高低端都試一下。第二個問題是，如果這個電路就是為了提高效率而設我判斷沒錯，在高壓端431被拉低（有可能低到1點幾伏），而VCC由芯片提供了7.7V電壓，那么Q1的Vbe反向電壓就有可能到5V（有的管子是6V），從而擊穿Q1。你自已查Q1參數。這兩種損壞，到了生產時，是很難分清。5、你所說的VCC電壓，在你的電路里不用擔心，如果我上面的分析成立，你的VCC不會高于11V，你的芯片在輸入大于12V時，VCC應在7.7V左右。你可以量一下看一下。 對于樓主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同條件再測一次效率，看看低端效率。 還要在加有Q1時，在高端測一下VCC電壓，如果電壓大于8V以上，那就是我錯了，如果是7.7V，那你調低輸入到11V以下，看看VCC是不是約等于輸入電壓（低0.4左右）。如果是那我的判斷就應該沒錯。
還有一種可能就是這個電路是為照顧低端起動，9V輸入被認為是正常，那么欠壓保護也得在8V左右了，這時經R13的電路可能對VCC已經不夠用了，你看一下芯片資料的第二頁，芯片內部是一下調整電源。這個電路用做這種功能可能性很大。而且看起來比用做輔助電源或提高效率來的要通順很多，而且如果是用做這個功能，這個電路是必不可少的，但我上面的第四條依然成立，你依然要辦法去解決。
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@dolameng
化雪老師的深入分析，小弟非常感激。如果在R10處并一10nF電容，能否避免反向擊穿的意外。
1、這個不大行，最好的辦法是在Q1的射級串一個二極管，但是會引起一些問題，那就是你在8V起動時會比較麻煩，這時Q1加串聯二極管壓降有1V，你就不能起動了，所以這個我也沒太多辦法。
2、我所說的兩種損壞，第一個電流沖擊應在Q1上串電阻解決，電阻不用取太大，有幾十歐應該就可以，第二種Vbe反向電壓損壞你得查管子型號，量你高端輸入時管子的Vbe，這個要在實際中測了，如果實測不超6V（一般管子就是6V），那就沒問題，超了，你就相辦法吧，哈哈，低壓輸入的電源，很難弄的。
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@化雪
1、這個不大行，最好的辦法是在Q1的射級串一個二極管，但是會引起一些問題，那就是你在8V起動時會比較麻煩，這時Q1加串聯二極管壓降有1V，你就不能起動了，所以這個我也沒太多辦法。2、我所說的兩種損壞，第一個電流沖擊應在Q1上串電阻解決，電阻不用取太大，有幾十歐應該就可以，第二種Vbe反向電壓損壞你得查管子型號，量你高端輸入時管子的Vbe，這個要在實際中測了，如果實測不超6V（一般管子就是6V），那就沒問題，超了，你就相辦法吧，哈哈，低壓輸入的電源，很難弄的。
非常感謝化雪老師，全面和細致。
我的問題是：
1.“電流沖擊應在Q1上串電阻”也是指在射極串么？可這樣，假設VCC電流為100mA，20ohm的電阻將產生2V，這對VCC影響有點大。
2.我覺得如果BE反向擊穿，是在上電瞬間431陰極瞬間對地的時候（會有這種可能么？），如果確實可能這樣，那并在R上的電容，可保證開機時ref腳為低電位。
弱問一下，此處VCC穩壓使用類似7812之類的芯片（耐壓夠的情況）會有不妥么？
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@dolameng
非常感謝化雪老師，全面和細致。我的問題是：1.“電流沖擊應在Q1上串電阻”也是指在射極串么？可這樣，假設VCC電流為100mA，20ohm的電阻將產生2V，這對VCC影響有點大。2.我覺得如果BE反向擊穿，是在上電瞬間431陰極瞬間對地的時候（會有這種可能么？），如果確實可能這樣，那并在R上的電容，可保證開機時ref腳為低電位。弱問一下，此處VCC穩壓使用類似7812之類的芯片（耐壓夠的情況）會有不妥么？
1、一般電阻會串在集電極，也有串射級。一般這種電源要在變壓器上出輔助繞組做輔助電源。依靠C13的回差提供起動能量。但是你的電源功率應該比較小，所以也沒做變壓器輔助電源。另個就是你的VCC應該耗不了這么大的電流，但是耗多大我不知道。這個串聯的電阻就靠你實驗去選。低壓起動電源本身就是一個比較難做項目，你只能折中一下看看能選多大。
2、你可能忽略了一個問題，當你431基準端上電壓高于1.4的時候，他陽極電壓會降低，不同的431降低程度不同，所以當你高端輸入時，基準上電壓較高時，431的陽極電壓可能會低到1V左右，是多少你實測一下，像我用2.5V的431會低到2V左右，你用的這個我沒用過所以具體情況我不太了解。從這里看，你的Vbe反壓是一個常態。解決這個問題就是我說串二極管，但一樣會影響你起動。我幫不了你多少。
3、你說的加7812類東西去做是沒有可能的，大部分的調整芯片（7812類）都要求有3V左右壓差才能正常工作，如果你加這類芯片行的話，那你LM5020上自已內部東西就已經行了。另外確實有低壓差的調整芯片但是價格比較高，而且用上去會不會過度發熱是個未知數。
你這種低壓電源很難做的地方就在這里，你可以考慮在變壓器出個輔助電源試試（不知道能改善多少）。
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@化雪
1、一般電阻會串在集電極，也有串射級。一般這種電源要在變壓器上出輔助繞組做輔助電源。依靠C13的回差提供起動能量。但是你的電源功率應該比較小，所以也沒做變壓器輔助電源。另個就是你的VCC應該耗不了這么大的電流，但是耗多大我不知道。這個串聯的電阻就靠你實驗去選。低壓起動電源本身就是一個比較難做項目，你只能折中一下看看能選多大。2、你可能忽略了一個問題，當你431基準端上電壓高于1.4的時候，他陽極電壓會降低，不同的431降低程度不同，所以當你高端輸入時，基準上電壓較高時，431的陽極電壓可能會低到1V左右，是多少你實測一下，像我用2.5V的431會低到2V左右，你用的這個我沒用過所以具體情況我不太了解。從這里看，你的Vbe反壓是一個常態。解決這個問題就是我說串二極管，但一樣會影響你起動。我幫不了你多少。3、你說的加7812類東西去做是沒有可能的，大部分的調整芯片（7812類）都要求有3V左右壓差才能正常工作，如果你加這類芯片行的話，那你LM5020上自已內部東西就已經行了。另外確實有低壓差的調整芯片但是價格比較高，而且用上去會不會過度發熱是個未知數。 你這種低壓電源很難做的地方就在這里，你可以考慮在變壓器出個輔助電源試試（不知道能改善多少）。
小弟有不同意見，
關于第二點，VBE常態不應該是一個反壓狀態，431構成的穩壓器，3904在其中應該是一個射隨器，以提高帶載，不該出現反壓。如果VBE會有反壓，也應該是在一種特殊情況下出現的。
不知這樣理解有什么問題。
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@化雪
這個電路更像是為提高低壓端效率而設1、當輸入電壓低于11V時，圖中的Q1被導通，這時芯片的供電由紅框中的電路供電，經R13的電路供電電流降低，當輸入電壓高時這個電路應該是斷開的，而芯片的供電由R13及芯片內部產生，這種方式在國NS芯片做小功率的時比較多見。2、不知道樓上大哥是怎么計算出來11V這個數值的，可不可以給出計算的方式，大家看一下，我想提醒樓上大哥的是，這個電路里，輸入端是沒有電阻的，所以我很難看出VCC被穩在11V（如果樓上大哥成立的話，好像管子也不對），請樓上大哥再看一下。3、最一開始，我把他看成了一個輸入過壓保護電路，可是算了一下，又看了一下拓撲感覺也不對，分析更像是一條那樣，可是我疑惑的是，如果為了在這么窄的范圍提高效率用這種電路成本投入好像不太值，畢竟要用兩個半導體，其中一個還是431。所以我很懷疑我的判斷而是有的地方我還沒注意到，就像樓上大哥所說就是一個輔助電源。4、這個電路或多或少有點問題，首先是上電瞬間，Q1有被電流擊穿的可能，樓主可以做幾千次開關機試一下，高低端都試一下。第二個問題是，如果這個電路就是為了提高效率而設我判斷沒錯，在高壓端431被拉低（有可能低到1點幾伏），而VCC由芯片提供了7.7V電壓，那么Q1的Vbe反向電壓就有可能到5V（有的管子是6V），從而擊穿Q1。你自已查Q1參數。這兩種損壞，到了生產時，是很難分清。5、你所說的VCC電壓，在你的電路里不用擔心，如果我上面的分析成立，你的VCC不會高于11V，你的芯片在輸入大于12V時，VCC應在7.7V左右。你可以量一下看一下。 對于樓主你量出你的高低端效率，去掉Q1在相同條件再測一次效率，看看低端效率。 還要在加有Q1時，在高端測一下VCC電壓，如果電壓大于8V以上，那就是我錯了，如果是7.7V，那你調低輸入到11V以下，看看VCC是不是約等于輸入電壓（低0.4左右）。如果是那我的判斷就應該沒錯。
膜拜大佬，我想知道有什么型號的國產芯片可以替代這個LM5020?
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