采用第三代有源箝位技術專利,其特點是在第二代有源箝位的基礎上將磁芯重定時釋放出的能量轉送至負載.所以實現了更高的轉換效率.它共有三個電路方案:其中一個方案可以採用N溝MOSFET.因而工作頻率較高,採用該技術可以將ZVS軟開關、同步整流技術、磁能轉換都結合在一起,因而它實現了高達92%的效率及250W/in3以上的功率密度.(即四分之一磚DC/DC做到250W功率輸出、半磚DC/DC做到500W功率輸出及92%以上的轉換效率)1129697395.pdf1129697791.pdf1129697816.pdf