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MOSFET與IGBT的區別

經常看到別人使用MOSFET和IGBT來設計開關電源,小功率的采用MOSFET,大功率的使用IGBT,粗略的知道MOSFET飽和導通壓降較小,但是具體有啥區別還真不知道,不知道哪位達人說下???
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2009-04-23 11:05
電壓超過300V后,MOSFET的導通壓降迅速變大,損耗變大,這種情況改用IGBT做開關器件最好
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2009-04-23 15:06
IGBT是絕緣柵雙極晶體管.MOSFET是功率場效應晶體管.前者是復合器件,后者是單極型器件.但它們都是電壓控制型器件,也稱場控器件.兩者在正向導通結數,器件控制方式,正反向阻斷電壓,門極信號,結溫,安全工作區,延遲時間,存儲時間------等方面均相同或近似.而后者有更高的開關頻率,可>100KHZ
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aoe123
LV.1
4
2009-04-26 09:27
多謝兩位回復,還想知道的更多,
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2009-04-27 11:47
@aoe123
多謝兩位回復,還想知道的更多,
還想知道哪方面的東西呢?
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