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反激式電源中電磁干擾及其抑制 (sunyun推薦)[完整]

反激式電源中電磁干擾及其抑制 (sunyun推薦)[完整]
摘要:在介紹Flyback反激式DC/DC電源及其性能的基礎(chǔ)上,主要討論了該電源中的網(wǎng)側(cè)諧波及其抑制,開關(guān)緩沖電路,光耦隔離等問題.
關(guān)鍵詞: 噪 聲 ;干擾 ;高次諧波;電磁干擾.

1 電路介紹反激式電源原理圖如圖1所示.



輸入為交流85~200V,經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)橹绷?作為DC/DC反激變換器的輸入,輸出為三組直流:5V、15V、20V,另外還有一輔助電源5V,用來給光耦NEC2501供電.控制電路為反饋控制,開關(guān)選用TOPSwitch電源芯片(TOP223).TOPSwitch為三端離線式PWM電源集成控制器,它將PWM控制器與功率開關(guān)MOSFET合為一體,采用TO-220或8腳DIP封裝,除D、C2腳外,其余6腳連在一起作為S端.本電路中TOP223采用UDS>700V的MOSFET,fs=100kHz.在這個(gè)Flyback反激式電源中,變壓器原邊繞組33匝,副邊有四組:6匝(對(duì)應(yīng)于輸出Uo2=5V)、11匝(對(duì)應(yīng)于輸出Uo3=15V)、12匝(對(duì)應(yīng)于輸出Uo1=20V)、6匝(對(duì)應(yīng)于輔助電源U=5V).在副邊,WY1和WY2為穩(wěn)壓器件,WY1輸入在≥8V時(shí),輸出可穩(wěn)在5V;WY2輸入≥18V時(shí),輸出可穩(wěn)在15V.2EMI分析

開關(guān)電源工作時(shí),其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內(nèi)上升和下降的,所以開關(guān)電源本身就是一個(gè)噪聲發(fā)生源.開關(guān)電源的干擾按噪聲干擾源種類可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種.使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法就是采用耗能電路來削弱噪聲發(fā)生源,或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑.

2.1網(wǎng)側(cè)高次諧波電流

2.1.1高次諧波電流的危害參照?qǐng)D1,交流輸入電壓Vi經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓,被電容C1平滑后成為直流,但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波.如圖2所示.



由圖2中電流波形可知,電流中含有高次諧波.大量電流諧波分量倒流入電網(wǎng),對(duì)電網(wǎng)造成諧波污染,一方面,產(chǎn)生“二次效應(yīng)”,即電流經(jīng)過線路阻抗造成諧波電壓降,反過來使電網(wǎng)電壓(原來是正弦波)也發(fā)生畸變;另一方面,會(huì)造成電路故障,如線路和配電變壓器過熱,諧波電流會(huì)引起電網(wǎng)LC諧振,或高次諧波電流流過電網(wǎng)的高壓電容,使之過流、過熱而爆炸等.另外,由于電流是脈沖波,使電源輸入功率因數(shù)降低.因此,必須想辦法解決它.2.1.2高次諧波電流的抑制1)最簡(jiǎn)單的辦法是在整流橋與電容C1之間接入電感線圈L,用其阻止對(duì)電容C1較大的充電電流.L對(duì)交流呈現(xiàn)感抗為ωL,電容充電電流的平均值常與放電直流電流值相等,則峰值電流被限制,導(dǎo)通角變大(′>).如圖3所示.



2)若線圈電感足夠大,則電流導(dǎo)通角可達(dá)到180°,電流近似正弦波,功率因數(shù)趨于1.但是,在實(shí)際應(yīng)用中,如果電感值太大,那么其體積重量隨之變大,從而影響了電源的小型化,而且整流電壓隨著負(fù)載變化較大,因此,線圈L也不能太大.本電路中共模扼流圈L2可起到電感的作用,其等效電感為L(zhǎng),則可抑制電容電流的高次諧波.

3)本電路中采用共模扼流圈L2(如圖1所示)

(1)對(duì)開關(guān)電源二根進(jìn)線而言,存在共模干擾(二根線上受干擾信號(hào)相對(duì)參考點(diǎn)大小、方向相同)和差模干擾(二根線上受干擾信號(hào)相對(duì)參考點(diǎn)大小相等、方向相反).共模扼流圈如圖4所示.



--在差模干擾信號(hào)作用下,干擾源產(chǎn)生的電流i,在磁芯中產(chǎn)生方向相反的磁通,磁芯中等于沒有磁通,線圈電感幾乎為0,因此不能抑制差模干擾信號(hào).

--在共模干擾信號(hào)作用下,兩線圈產(chǎn)生的磁通方向相同,有相互加強(qiáng)的作用,每一線圈電感值為單獨(dú)存在時(shí)的兩倍.因此,這種繞法的電磁線圈對(duì)共模干擾有強(qiáng)的抑制作用.

本電路中在電網(wǎng)與整流橋之間插入一共模扼流圈,該扼流圈對(duì)電網(wǎng)頻率的差模網(wǎng)側(cè)電流呈現(xiàn)極低的阻抗,因而對(duì)電網(wǎng)頻率的壓降極低;而對(duì)電源產(chǎn)生的高頻共模噪聲,等效阻抗較高,因而可以得到希望的插入損耗.

(2)扼流圈L2與電容C10、C1組成低通濾波器扼流圈L2的等效電感為L(zhǎng),以電源端作為輸入,電網(wǎng)方向作為輸出,則電路圖如圖5所示.





2.2開關(guān)緩沖電路

由于開關(guān)的快速通斷,開關(guān)電流、電壓波形為脈沖形式,產(chǎn)生噪聲污染,既增大了電源輸出的紋波,又影響電源的性能,因此,要想辦法抑制.

本電路中,輸入為交流85~200V,經(jīng)整流橋后電容上的電壓約為此交流有效值的1.2~1.4倍,最大時(shí)為Ucm=200×1.4=280V.另外,變壓器副邊折合到原邊的電壓Up=Us×33/6,Us取副邊第一繞組(5V繞組)的電壓.考慮到WY1輸入≥8V,取10V,則Up=Us×33/6=10×33/6=55V.那么開關(guān)關(guān)斷時(shí)所要承受的總電壓Ut=Ucm+Up=280+55=335V.可見對(duì)開關(guān)的過壓保護(hù)是必要的.本Flyback電源中采用TOPSwitch開關(guān),其內(nèi)部有過壓保護(hù)和緩沖電路.為保險(xiǎn)起見,在電路中還是加入了外部的過壓保護(hù)電路(R21和C21).

1)未加緩沖電路和加入緩沖電路之后開關(guān)管電壓Ut和電流i及功耗Pt的波形如圖7所示.由圖7可知,加RC緩沖電路后,開關(guān)電壓上升速率減慢,變小,噪聲減弱,抑制了EMI.另外,開關(guān)功耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.

緩沖電路中的R21是在開關(guān)開通,電容C21放電時(shí)起到限流作用,避免對(duì)管子的沖擊.

2)對(duì)于開關(guān)開通時(shí)的電流沖擊,因?yàn)橛凶儔浩髟吘€圈Np電感的限流,因此本電路中沒有加限流電感.

2.3光耦隔離

由于控制電路對(duì)噪聲敏感,一旦有噪聲,將會(huì)引起控制電路中的控制信號(hào)紊亂,而嚴(yán)重影響電源的工作.為了保證開關(guān)電源的正常工作,要求控制電路必須具有高精度和高穩(wěn)定性,為此,必須將主電路與控制電路隔離.本電路中,用NEC2501將電源中的兩部分進(jìn)行電隔離:一部分是作為控制電路電源的變壓器副邊輔助電源,另一部分是主電路.這樣就防止了噪聲通過傳導(dǎo)的途徑傳入到控制電路中.



3 為更好抑制EMI對(duì)電路的一些改進(jìn)

本電路中主要的EMI是電源噪聲對(duì)電網(wǎng)的干擾.可將原來的共模扼流圈L2與電容C10、C1組成的濾波電路,改善為如圖8所示電路,則L1、L2、C1可除去差模干擾,L3、C2、C3可除去共模干擾.L1、L2的磁芯為不易飽和的材質(zhì).C1可選陶瓷電容,耐壓必須考慮輸入電壓的最大可能值,通常選用0.22~0.47μF.L3是共模扼流圈.選定C=C2=C3,截止頻率f0,則可根據(jù)
全部回復(fù)(68)
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蘭波
LV.8
2
2003-06-27 09:46
頂!!將上面的文章補(bǔ)充完畢.
感謝sunyun的推薦...

如果大家有什么好文章,發(fā)表起來有些麻煩,可以發(fā)給我:webmaster@powersupply.net.cn 我的QQ:37367239 謝謝!!
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ulan
LV.2
3
2003-07-14 14:27
能否幫忙啊!
我看到你發(fā)表了一些關(guān)于開關(guān)電源方面的文章,不知你是否熟悉開關(guān)電源這個(gè)行業(yè)中的研發(fā)人員,請(qǐng)幫忙推薦,我在上海為一家歐美企業(yè)找這方面的人,謝謝幫忙!
ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
4
2003-07-14 15:57
@ulan
能否幫忙啊!我看到你發(fā)表了一些關(guān)于開關(guān)電源方面的文章,不知你是否熟悉開關(guān)電源這個(gè)行業(yè)中的研發(fā)人員,請(qǐng)幫忙推薦,我在上海為一家歐美企業(yè)找這方面的人,謝謝幫忙!ulanyu@hotmail.com
您是指我嗎?
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cmg
LV.9
5
2003-07-16 09:44
這篇文章基本上不值一看,還有些錯(cuò)誤.
如:上面說在管的DS端加RC可使開關(guān)損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實(shí)是恰恰相反,會(huì)使管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小,這都是一些常識(shí)性的東西.共模扼流圈L2
圖中共模電感為環(huán)型,其等效差模電感是很小的,對(duì)差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計(jì)算
一個(gè)比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對(duì)EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
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cmg
LV.9
6
2003-07-16 09:50
管理員,我剛才發(fā)了一個(gè)貼,是否定此文章的,
又丟失了信息,請(qǐng)將我的名字加上.
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ulan
LV.2
7
2003-07-16 13:31
@shuyun
您是指我嗎?
請(qǐng)shuyun回復(fù)我!
我是請(qǐng)你幫忙的人,能否幫在上海的周邊的地區(qū)推薦作開關(guān)電源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作經(jīng)驗(yàn),當(dāng)然更高級(jí)的研發(fā)人員我也需要的!不知你在上海嗎?請(qǐng)聯(lián)系我!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
8
2003-07-16 16:08
@ulan
請(qǐng)shuyun回復(fù)我!我是請(qǐng)你幫忙的人,能否幫在上海的周邊的地區(qū)推薦作開關(guān)電源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作經(jīng)驗(yàn),當(dāng)然更高級(jí)的研發(fā)人員我也需要的!不知你在上海嗎?請(qǐng)聯(lián)系我!ulanyu@hotmail.com
以前在上海激光研究所光通電源事業(yè)部,現(xiàn)在杭州!
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shuyun
LV.6
9
2003-07-16 16:09
@cmg
管理員,我剛才發(fā)了一個(gè)貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請(qǐng)將我的名字加上.
希望您能發(fā)上來! 大家一起討論!!
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shuyun
LV.6
10
2003-07-16 16:10
@shuyun
希望您能發(fā)上來!大家一起討論!!
這篇文章我也是轉(zhuǎn)載的!
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shuyun
LV.6
11
2003-07-17 11:50
@cmg
這篇文章基本上不值一看,還有些錯(cuò)誤.如:上面說在管的DS端加RC可使開關(guān)損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實(shí)是恰恰相反,會(huì)使管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小,這都是一些常識(shí)性的東西.共模扼流圈L2圖中共模電感為環(huán)型,其等效差模電感是很小的,對(duì)差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計(jì)算一個(gè)比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對(duì)EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
您說的這些,有的我贊成,有的確與事實(shí)相差甚遠(yuǎn)!!!
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shuyun
LV.6
12
2003-07-17 12:01
@cmg
這篇文章基本上不值一看,還有些錯(cuò)誤.如:上面說在管的DS端加RC可使開關(guān)損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實(shí)是恰恰相反,會(huì)使管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小,這都是一些常識(shí)性的東西.共模扼流圈L2圖中共模電感為環(huán)型,其等效差模電感是很小的,對(duì)差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計(jì)算一個(gè)比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對(duì)EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
我來說說!
{上面說在管的DS端加RC可使開關(guān)損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實(shí)是恰恰相反,會(huì)使管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小,這都是一些常識(shí)性的東西.共模扼流圈L2 }
您說的這些,我表示反對(duì),正因?yàn)槭浅WR(shí)才會(huì)被很多人忽視!
另:加RC之后 管子 損耗會(huì)加大很多嗎? 象您這么說開關(guān)管的吸收就須去掉了!!
更正:不是管子損耗會(huì)加大很多, 而是吸收電路本身有損耗!!!
希望您多提一些有意義的東西!!
本人很希望與您談?wù)?!
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cmg
LV.9
13
2003-07-17 16:35
@shuyun
我來說說!{上面說在管的DS端加RC可使開關(guān)損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實(shí)是恰恰相反,會(huì)使管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小,這都是一些常識(shí)性的東西.共模扼流圈L2}您說的這些,我表示反對(duì),正因?yàn)槭浅WR(shí)才會(huì)被很多人忽視!另:加RC之后管子損耗會(huì)加大很多嗎?象您這么說開關(guān)管的吸收就須去掉了!!更正:不是管子損耗會(huì)加大很多,而是吸收電路本身有損耗!!!希望您多提一些有意義的東西!!本人很希望與您談?wù)?!
哈哈,不信.
實(shí)際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個(gè)情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時(shí)候,而這時(shí)C放電,在TOP上的瞬態(tài)損耗很高.我做過無數(shù)次的實(shí)驗(yàn),也幫很多人解決過這個(gè)問題,不信你就試一下.
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ulan
LV.2
14
2003-07-17 17:02
@shuyun
以前在上海激光研究所光通電源事業(yè)部,現(xiàn)在杭州!
shuyun能幫我介紹在上海的人嗎?
我現(xiàn)在希望能得到你的幫助,你告訴我你的聯(lián)系方式嗎?請(qǐng)發(fā)到我的郵箱!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
15
2003-07-17 17:03
@cmg
哈哈,不信.實(shí)際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個(gè)情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時(shí)候,而這時(shí)C放電,在TOP上的瞬態(tài)損耗很高.我做過無數(shù)次的實(shí)驗(yàn),也幫很多人解決過這個(gè)問題,不信你就試一下.
你說的也不無道理!
我指的是反激變換器并沒有針對(duì)TOP電路!
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shuyun
LV.6
16
2003-07-18 10:54
@cmg
哈哈,不信.實(shí)際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個(gè)情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時(shí)候,而這時(shí)C放電,在TOP上的瞬態(tài)損耗很高.我做過無數(shù)次的實(shí)驗(yàn),也幫很多人解決過這個(gè)問題,不信你就試一下.
看來我得跟您談?wù)劯哳l電磁學(xué)的基礎(chǔ)理論!!
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tinyhe
LV.6
17
2003-07-18 16:43
@shuyun
看來我得跟您談?wù)劯哳l電磁學(xué)的基礎(chǔ)理論!!
期待shuyun兄談?wù)劯哳l電磁學(xué)
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c3
LV.6
18
2003-07-18 18:25
@cmg
哈哈,不信.實(shí)際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個(gè)情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時(shí)候,而這時(shí)C放電,在TOP上的瞬態(tài)損耗很高.我做過無數(shù)次的實(shí)驗(yàn),也幫很多人解決過這個(gè)問題,不信你就試一下.
吸收電路是必須的.
“加RC之后 管子 損耗會(huì)加大,”不對(duì),雖然加RC可能會(huì)使得損耗增大(只是有這種可能),如果吸收電路加的好,絕對(duì)不會(huì)使得損耗增大,
我近期在一個(gè)降壓電路中加了吸收,就使得MOS管的損耗減少了,不加的時(shí)候,MOS的DS波形一片雜亂,而且散熱器溫升比較快,加了吸收后,散熱器溫升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.
抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的話,EMI肯定也大,加了吸收后,會(huì)減小dv/dt的特別是關(guān)斷的時(shí)候,試驗(yàn)證明效果明顯.
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cmg
LV.9
19
2003-07-18 19:03
@shuyun
看來我得跟您談?wù)劯哳l電磁學(xué)的基礎(chǔ)理論!!
不妨談一下.
本人在EMI的原理及抑制方法,變壓器的工藝和EMI,漏感的關(guān)系等方面有多年的經(jīng)驗(yàn)和理論基礎(chǔ),希望有高人交流.
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cmg
LV.9
20
2003-07-19 08:58
@c3
吸收電路是必須的.“加RC之后管子損耗會(huì)加大,”不對(duì),雖然加RC可能會(huì)使得損耗增大(只是有這種可能),如果吸收電路加的好,絕對(duì)不會(huì)使得損耗增大,我近期在一個(gè)降壓電路中加了吸收,就使得MOS管的損耗減少了,不加的時(shí)候,MOS的DS波形一片雜亂,而且散熱器溫升比較快,加了吸收后,散熱器溫升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的話,EMI肯定也大,加了吸收后,會(huì)減小dv/dt的特別是關(guān)斷的時(shí)候,試驗(yàn)證明效果明顯.
你的問題說明你原來的電源就工作在不正常狀態(tài).
用你工作在不正常狀態(tài)的電源來反駁我這句話是沒有道理的.
對(duì)TOP來說(這篇文章是以TOP來說的),損耗肯定會(huì)加大,因?yàn)殚_通損耗大了,因?yàn)門OP的關(guān)斷速度太快,所以RC對(duì)TOP的關(guān)斷損耗沒有影響.
但對(duì)普通的反激變換器來說,要綜合考慮,加RC后開通損耗加大,但關(guān)斷損耗減小,所以管子的綜合損耗要具體評(píng)估一下.但無論如何,加RC后電源的效率會(huì)降低,這也是為EMI付出的代價(jià).
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2003-07-19 18:35
@shuyun
以前在上海激光研究所光通電源事業(yè)部,現(xiàn)在杭州!
上海光通電源事業(yè)部?
上海光通電源事業(yè)部是我和上海光通共同投資組建的.我并沒有聽說有人轉(zhuǎn)移到杭州!請(qǐng)跟我聯(lián)系.
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2003-07-19 18:37
@ulan
shuyun能幫我介紹在上海的人嗎?我現(xiàn)在希望能得到你的幫助,你告訴我你的聯(lián)系方式嗎?請(qǐng)發(fā)到我的郵箱!ulanyu@hotmail.com
人才交流
本公司緊缺開關(guān)電源技術(shù)人員.大哥尋尋覓覓這么長(zhǎng)時(shí)間,能不能與我們交流一下人才信息!我們有大量歐美訂單,等著你的合作信息
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shuyun
LV.6
23
2003-07-21 17:19
@德創(chuàng)電源
上海光通電源事業(yè)部?上海光通電源事業(yè)部是我和上海光通共同投資組建的.我并沒有聽說有人轉(zhuǎn)移到杭州!請(qǐng)跟我聯(lián)系.
您是陶總還是鄭總?
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ridgewang
LV.8
24
2003-07-23 18:01
@cmg
管理員,我剛才發(fā)了一個(gè)貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請(qǐng)將我的名字加上.
CMG,你看看這樣行不行?
根據(jù)你的理論,在RC吸收回路中串個(gè)二極管,把它做成放電阻止形緩沖電路 既:RCD緩沖電路如何?
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cmg
LV.9
25
2003-07-24 08:46
@ridgewang
CMG,你看看這樣行不行?根據(jù)你的理論,在RC吸收回路中串個(gè)二極管,把它做成放電阻止形緩沖電路既:RCD緩沖電路如何?
我只是說明這篇文章的很多東西是錯(cuò)誤的,不要害了大家.
其他技術(shù)方面的問題以后會(huì)解釋.
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shuyun
LV.6
26
2003-07-24 09:36
@cmg
管理員,我剛才發(fā)了一個(gè)貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請(qǐng)將我的名字加上.
希望您能發(fā)上來! 大家一起討論!!
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shuyun
LV.6
27
2003-07-24 09:41
@cmg
我只是說明這篇文章的很多東西是錯(cuò)誤的,不要害了大家.其他技術(shù)方面的問題以后會(huì)解釋.
您知道這篇文章的原作是誰!
只要您能將其錯(cuò)誤處,指出我相信他們會(huì)感到高興的!!
您上面說的并不能說明什么!
期待!!
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ridgewang
LV.8
28
2003-07-24 09:59
@cmg
我只是說明這篇文章的很多東西是錯(cuò)誤的,不要害了大家.其他技術(shù)方面的問題以后會(huì)解釋.
未必!
把它做成放電阻止形緩沖電路 只是保險(xiǎn)而已!但增加了成本(多了一直二極管)!,其實(shí)不必如此.只要按照電源的工作頻率,和占空比,仔細(xì)設(shè)置R,C的參數(shù),保證在開關(guān)管開通前該R、C吸收電路處于放電狀態(tài),而且放電電壓小于一定的值就行了(即已經(jīng)放得差不多了),這樣就不會(huì)造成你所說的“管子因開通峰值電流超過絕對(duì)最大值而損壞(因管子有過熱保護(hù),不會(huì)過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會(huì)加大很多,而不是減小”.你說是嗎?
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cmg
LV.9
29
2003-07-24 10:43
@shuyun
您知道這篇文章的原作是誰!只要您能將其錯(cuò)誤處,指出我相信他們會(huì)感到高興的!!您上面說的并不能說明什么!期待!!
這篇文章的原作是誰并不重要!!
也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(dǎo)(只有一個(gè)人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學(xué)生的一些東西是錯(cuò)誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個(gè)把散熱片拿掉,使“磚”成了一個(gè)藝術(shù)品)的CEO(Martin,電源權(quán)威)我也當(dāng)面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會(huì)“你說的也不無道理!”,一會(huì)又“您上面說的并不能說明什么! ”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設(shè)備,幾乎每個(gè)星期都在幫人做實(shí)驗(yàn)改進(jìn)EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對(duì)EMI做定量的分析,只能定性,有個(gè)別做定量分析的人都注明:可能與實(shí)際會(huì)有很大的差別.因?yàn)镋MI與電源的布版,器件分布參數(shù),變壓器工藝都有極大的關(guān)系.只能做定性分析,用定性分析的結(jié)果來指導(dǎo)測(cè)試修改.
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shuyun
LV.6
30
2003-07-24 12:03
@cmg
這篇文章的原作是誰并不重要!!也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(dǎo)(只有一個(gè)人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學(xué)生的一些東西是錯(cuò)誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個(gè)把散熱片拿掉,使“磚”成了一個(gè)藝術(shù)品)的CEO(Martin,電源權(quán)威)我也當(dāng)面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會(huì)“你說的也不無道理!”,一會(huì)又“您上面說的并不能說明什么!”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設(shè)備,幾乎每個(gè)星期都在幫人做實(shí)驗(yàn)改進(jìn)EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對(duì)EMI做定量的分析,只能定性,有個(gè)別做定量分析的人都注明:可能與實(shí)際會(huì)有很大的差別.因?yàn)镋MI與電源的布版,器件分布參數(shù),變壓器工藝都有極大的關(guān)系.只能做定性分析,用定性分析的結(jié)果來指導(dǎo)測(cè)試修改.
您誤會(huì)了!
我只是想要您找出這篇文章真正的錯(cuò)誤處! 供大家參考! 即使是錯(cuò)的我相信對(duì)大家還是會(huì)有幫助的,
絕不會(huì)想您說的  (我只是說明這篇文章的很多東西是錯(cuò)誤的,不要害了大家.) 那樣!!!
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shuyun
LV.6
31
2003-07-24 12:45
@cmg
這篇文章的原作是誰并不重要!!也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(dǎo)(只有一個(gè)人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學(xué)生的一些東西是錯(cuò)誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個(gè)把散熱片拿掉,使“磚”成了一個(gè)藝術(shù)品)的CEO(Martin,電源權(quán)威)我也當(dāng)面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會(huì)“你說的也不無道理!”,一會(huì)又“您上面說的并不能說明什么!”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設(shè)備,幾乎每個(gè)星期都在幫人做實(shí)驗(yàn)改進(jìn)EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對(duì)EMI做定量的分析,只能定性,有個(gè)別做定量分析的人都注明:可能與實(shí)際會(huì)有很大的差別.因?yàn)镋MI與電源的布版,器件分布參數(shù),變壓器工藝都有極大的關(guān)系.只能做定性分析,用定性分析的結(jié)果來指導(dǎo)測(cè)試修改.
聲明:
“原來我們教給學(xué)生的一些東西是錯(cuò)誤的”,您說的這句話從教育學(xué)的角度看是錯(cuò)誤的!!
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