MOSFET 的 柵-漏寄生電容Cgd（也稱為米勒電容）在導(dǎo)通和斷開時(shí)的大小不同，主要是由于溝道的形成與耗盡區(qū)的變化影響了電容的主要組成部分。

1. MOSFET 導(dǎo)通時(shí)（Cgd 較大）

溝道形成：

   • MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)或飽和區(qū)時(shí)，柵極施加正電壓（對(duì)于 NMOS），在源極和漏極之間形成連續(xù)導(dǎo)電溝道。

   • 由于溝道的存在，柵極與漏極之間的絕緣層變薄，導(dǎo)致更強(qiáng)的電場(chǎng)耦合，使Cgd  主要由 柵極和漏極之間的重疊電容Cov 以及溝道部分的電容貢獻(xiàn)，電容值較大。

米勒效應(yīng)增強(qiáng)：

   • 在開關(guān)過(guò)程中，柵極與漏極的電壓變化劇烈，米勒電容的等效值增大，進(jìn)一步增加了Cgd 的影響。

2. MOSFET 斷開時(shí)（Cgd 較小）

溝道消失：

   • MOSFET 斷開時(shí)（截止區(qū)），柵極電壓不足以維持導(dǎo)電溝道，溝道消失。

   • 此時(shí)，漏區(qū)和柵極之間的主要電容來(lái)自漏區(qū)的耗盡層電容。

漏極-柵極的 PN 結(jié)反向偏置：

   • 由于漏極通常處于高電勢(shì)（對(duì)于 NMOS，接近 ），而柵極接近 0V，導(dǎo)致漏極-襯底的 PN 結(jié)處于 反向偏置 狀態(tài)，使耗盡層變厚。

   • 耗盡層增厚會(huì)降低寄生電容 ，因?yàn)殡娙葜蹬c耗盡層厚度成反比。

總結(jié):