電動汽車行業(yè)使用的母線電壓越來越高。多數(shù)電動汽車使用400V母線電壓,現(xiàn)在業(yè)界正在向800V的母線電壓進(jìn)行過渡。800V的母線電壓能夠?qū)崿F(xiàn)更快的充電速度,減低電纜中的電流,實(shí)現(xiàn)更少發(fā)熱(I2R的損耗降低4倍),電纜線束更少從而減輕重量。
InnoSwitch3系列的INN3996開發(fā)的反激電路,將支持集成更高電壓的900V MOSFET,采用StackFET下,這項(xiàng)技術(shù)增加了設(shè)計(jì)的靈活性。具體來說就是在初級側(cè)疊加另一個MOSFET,串聯(lián)后,電壓就是串聯(lián)的MOSFET的電壓加上InnoSwitch3-AQ的電壓,這樣就可增加耐壓。
利用該主控IC開發(fā)的電源能夠?qū)崿F(xiàn)的30-1200VDC輸入范圍設(shè)計(jì)。待機(jī)工作下功耗極小,800V輸入情況下小于36mW。而在負(fù)載調(diào)整率和電壓調(diào)整率上的表現(xiàn)極佳,對于30V至1200V的輸入電壓范圍及空載至滿載的負(fù)載范圍輸出精度優(yōu)于 1%/-3%。