當下電后電路未完全下電時,很快又進行上電時,即輸出電容存有殘壓時進行上電,很容易芯片損壞,這也是常用電源測試的一項重要指標。
下圖偏置電壓上電過程的波形,大多數DCDC上電會設置為 F-PWM 模式,此時 DC-DC 允許電感存在負向電流。當芯片在 pre-bias 情況下啟機時, 由于其占空比展開緩慢,且此時輸出電容上存在初始電壓, 下管過長的導通時間必然會導致電感電流反向,并在上管導通時灌回輸入電容處。同時Or-ing 電路的存在阻隔了前級電容和輸入電容,導致 AVIN 輸入電容上會出現較大的電壓抬升,甚至可能超過 AVIN pin 的 ABS MAX 電壓 100V 而造成芯片被打壞。因此,需要采取一些有效措施改善pre-bias 啟機過程中的電壓反灌問題。
都有哪些措施抑制電壓反灌呢?