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適用于高達 220 W 的 USB PD 3.1 適配器的新型高壓 GaN 解決方案

Power Integrations 宣布推出 InnoSwitch 4-CZ 系列高頻、零電壓開關反激式控制器 IC 的擴展產品。當與 Power Integrations 的 ClampZeroTM 有源鉗位 IC 以及最近推出的 HiperPFS-5 基于氮化鎵的電源可選配時,這些新 IC 可輕松滿足當前高達 220 W 的適配器和充電器的 USB 供電 (PD) 3.1 規范。因子校正器(PFC)。

擴大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍,使充電器/適配器設計人員能夠輕松超過 23 W/in。3用于單輸出或多輸出 USB PD 3.1 認證設計,最大限度地減少組件并為 130-W USB PD 提供 94% 的效率。

Power Integrations技術推廣總監 Andy Smith 在接受 Power Electronics News 采訪時指出,人們對 USB PD 市場有著濃厚的興趣。USB PD是一種基于USB-C標準的快充技術。USB-C PD 可以提供比標準壁式充電器更大的電力,因此它對于快速將電力恢復到設備中特別有用??焖俪潆妼τ诠P記本電腦、平板電腦和便攜式充電器至關重要,但家用電器和其他此類設備也開始在其設備中使用越來越多的 USB 端口。

Power Integrations 長期致力于 USB PD 領域,推出InnoSwitch解決方案以提高產品的功率密度,使其能夠高效運行。GaN 隨后實現了更高的功率密度。目標是支持 USB PD 市場的這種變化,除了高效率外,還需要小尺寸。“每個人都想要最小的適配器,這意味著最高的效率和最少的組件,所以我們非常努力地支持這個市場,”史密斯說。

USB PD技術

市場需要輕巧、緊湊且功能強大的適配器,能夠快速為其所有關鍵任務設備充電。USB PD 3.1 已將額定功率提高到 240 W,而上一代可以提供 100 W。Smith 強調了 240-W 市場如何仍在興起,因為在工程層面,這是一個解決一些耗散挑戰的問題,考慮到很小的尺寸??焖俪潆姛o疑是一個很大的機會。

“但我們還需要保持一些基本的行業特性,例如低功耗、空載消耗和待機時的良好效率,”Smith 說。“一旦你獲得更高的權力,這并不容易實現。另一個重要的事情是,當輸入功率大于 75 W 時,我們顯然需要進行功率因數校正。所以現在我們必須要有一個 PFC 級,還要消除或繼續消除散熱器。”

根據 Smith 的說法,反激式的挑戰之一是開關頻率越高,功率損耗就越高。正如 Smith 解釋的那樣,由于電源開關關閉時變壓器初級上的電壓尖峰(圖 1),反激電路需要初級鉗位,以防止變壓器換向時初級開關兩端的電壓升高。傳統方法使用一個電容器和一個電阻器來釋放額外的能量,并在每次發生開關周期時產生功率損耗。因此,要實現高效率,就必須限制開關頻率。將開關頻率限制在 75 kHz 或 80 kHz 會使電源變壓器變大一些。因此,您要做的是避免初級鉗位電路斷電。理想情況下,您可以通過切換功率晶體管來提高其效率。但您實際上需要消除鉗位損耗,以使設計人員能夠提高開關頻率并獲得更小的變壓器。

圖 1:在傳統反激式中,初級鉗位電路消耗能量以保護初級開關。

“去年,我們推出了帶有有源鉗位電路的 ClampZero,”Smith 說。“基本上,鉗位能量存儲在鉗位電容器中,然后我們使用另一個開關在開關周期的適當點將能量引導到輸出級。初級鉗位控制、初級開關控制和同步整流晶體管控制必須非常小心地同步。所以在 InnoSwitch 中,這一切都是通過次級側的主控制器完成的。通過這種方式,我們用一個控制器驅動所有三個開關,這有助于精確控制 [圖 2 和 3]。”

圖 2:InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero 通過消除初級鉗位和開啟損耗在高頻下實現高效率。

史密斯補充說:“我們所做的是在打開主開關之前短暫打開鉗位開關。這使我們能夠對主電源上的電容進行放電,并將鉗位能量傳輸到輸出端。這樣,我們使用鉗位能量來驅動輸出,并通過初級開關釋放少量電容,從而實現零電壓開關。”

傳統的互補鉗位工藝只是在反相中打開兩個初級晶體管。但通過在電源開關導通前短時間導通晶體管(非互補模式),可以將能量傳遞到輸出端,降低初級開關電壓,從而實現零電壓開關。而且,由于兩個晶體管的動作關系不是固定的,我們可以在連續和不連續模式下操作。“在處理 USB PD 時,這一點非常重要,從 5 V/1 A 到可能的 24 V/5 A,輸出負載波動很大,在這些條件下,能夠從不連續模式過渡到連續模式,”Smith 說。“這使我們能夠在更廣泛的范圍內操作設備,同時避免突發模式。FluxLink 通信機制允許非常容易地控制所有開關。有必要確保開關周期之間的時間較短。但當然,您需要確保死區時間足以防止交叉傳導。”

圖 3:InnoSwitch4-CZ 芯片組與 HiperPFS-5 PFC IC 無縫運行。)

圖 4:USB PD — 130-W 輸出

時機很關鍵;無論如何,這一切讓我們能夠做的就是提高開關頻率。當然,您必須密切關注 EMI 問題。在高頻下切換,需要一個更大的 EMI 濾波器。根據 Smith 的說法,頻率限制在 140 kHz,使我們能夠減小變壓器的尺寸,而不會遇到太多 EMI 問題。

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hellbaron
LV.6
2
2022-05-27 13:51

220W不帶散熱器,扛得住么?

 

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Marcia
LV.6
3
2022-05-27 15:54

w支持

0
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2022-05-28 10:49

GaNg能夠提高開關頻率并獲得更小的變壓器

0
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2022-05-28 14:51

這個芯片散熱設計的是依靠PCB覆銅散熱的,如果覆銅散熱不夠的話還可以填充導熱膠進行散熱

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米修兒
LV.4
6
2022-05-28 15:04

隨著COSS的大幅減小,氮化鎵本質上比硅更高效,因此有可能提高基于氮化鎵的電源的開關頻率。雖然開關頻率提高會增加開關損耗,但總損耗仍會顯著低于硅MOSFET的損耗。

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2022-05-28 15:08

傳統的互補鉗位工藝只是在反相中打開兩個初級晶體管

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Marcia
LV.6
8
2022-05-28 15:14

可以提高開關頻率試試看

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Marcia
LV.6
9
2022-05-28 15:19

這一切讓我們能夠做的就是提高開關頻率

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tanb006
LV.10
10
2022-05-28 18:10

140K,也不是很高的頻率。如果不考慮EMC,頻率可以再翻一倍。

這還沒發揮到零件的性能的30%。

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tanb006
LV.10
11
2022-05-28 18:13
@hellbaron
220W不帶散熱器,扛得住么? 

扛得住。我手頭就有個用普通MOS做的,功率200瓦,滿功率一點不燙手。雖然沒精準的去測試功率,因為市電的波形太差,用功率計直接在市電測試的功耗并不準確。但確實是可以不用散熱片的。

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天晴朗
LV.6
12
2022-05-28 21:29

反激式的挑戰之一是開關頻率越高,功率損耗就越高

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k6666
LV.9
13
2022-06-02 09:31
@川理學子
這個芯片散熱設計的是依靠PCB覆銅散熱的,如果覆銅散熱不夠的話還可以填充導熱膠進行散熱

你說的這種覆銅、導熱膠都不能降低溫升還有其他措施嗎?功放管的尺寸小,散熱面小,但輸出功率可達100W,散熱面與散熱工藝的熱阻大,降不下來怎么整?

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tanb006
LV.10
14
2022-06-20 22:19

頻率越高,變壓器的工藝要求也越高。較少的匝數會帶來相對較大的漏感。

簡單說,一旦匝數固定下來,漏感也就固定了。接下來就是裝配磁芯來達到需要的初級電感量。

無論初級電感是多大,漏感是不會有多大變化的,主動鉗位可能是高頻下的標配電路了。

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聽聽1234
LV.5
15
2022-06-24 09:22

目標是支持 USB PD 市場的這種變化,除了高效率外,還需要小尺寸。

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