MOSFET在什么樣的情況下會出現柵漏源極全部擊穿的現象啊?
請高手幫幫忙,指點一下.
MOSFET擊穿
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@zhangjunfuabc
我只是希望能得到大家不同的見解或能夠造成全穿的可能性,并非說一定就是哪個原因造成的.大家的觀點都說了,我可能就知道是哪個原因了.那么,高手能否賜教你所說的一百種可能性呢?
MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因.
使用方面:
1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.
2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!
3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.
4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.
5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.
6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.
休息一下,有時間再寫.
使用方面:
1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.
2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!
3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.
4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.
5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.
6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.
休息一下,有時間再寫.
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@xkw1
MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因.使用方面:1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.休息一下,有時間再寫.
請問,高壓264V開機炸機的原因可能是哪種呢,謝謝.
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@xkw1
MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因.使用方面:1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.休息一下,有時間再寫.
請高手繼續指點,我們公司最近遇到一批板子出現mosfet全通現象很是頭痛,請高手執教.
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@xkw1
MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因.使用方面:1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.休息一下,有時間再寫.
)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.
這個我不太明白,可以說的具體點嗎
這個我不太明白,可以說的具體點嗎
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@xkw1
MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因.使用方面:1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發生器或有此功能的空調!3)漏電損傷,多數情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經過一段時間使用會GDS全短.5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當的負壓,會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當的負壓驅動一樣,只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.休息一下,有時間再寫.
請問：在mosfet沒有完全失效時，mosfet的老化對電源本身的性能有什么影響？
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@hhwolf
我遇到的最多的情況是: 短路,導致短路電流過大
上面的兄弟，264V開機炸管主要有以下方面：
一、上電瞬間，次級電容充電過程相當于短路，導致啟動電流大，應該適當增加軟啟動；
二、264V輸入的時候，常規的分立器件RCC還好，如果是IC驅動的話會存在副繞組電壓過沖而導致IC紊亂而炸管子，IC必壞，有軟啟動和VCC箝位的話幾乎可避免；
三、反饋的動態也很重要，像TL431，很多人都不理解為什么日本的電源很多都會在AK或RK之間并聯一個UF級的電解電容，這個電容還和主濾波電容存在一定的比例關系；
四、板子的清潔程度和殘留物質之類的不確定因素，也許干燥的時候很好，一遇到潮濕天氣就炸；
五、264V的MOS尖峰問題，這當然和設計的余量和器件的耐壓余量有關，高壓空載加電的第一個高占空比脈寬之后的尖峰很可怕，設計的余量要用這個來估算，當然，針對且有效的措施也能完全避免，如：合理而快速有效的尖峰吸收電路；
六、順序加電的問題，這是老話了，先低壓功能測試老化后再高壓測試可靠性。
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