并4--8只!
1071118266.sch

感謝
MOSFET并聯(lián)關鍵是不能同時導通,控制比較困難,請問在這方面你有經(jīng)驗嗎,是否可以和你交流.

歡迎交流!
013702383795--俞

交流
用手機交流太奢侈了吧,我的EMAIL:zhangjp@powermaxtech.com

我覺得mosfet的并聯(lián)不成問題,只要驅(qū)動電流夠
驅(qū)動差的導通電阻大,電流將主要從導通差的mosfet流走,起到自動均橫的作用.

個人觀點
分場合,比如低電壓硬開關場合適宜多并,LC諧振軟開關也較適宜多并,高電壓硬開關場搞產(chǎn)品最好不并,應用現(xiàn)場情況十分復雜,就算你設計,生產(chǎn)都做的非常優(yōu)秀,久而久之怕生變,它們的空間分布、驅(qū)動、生產(chǎn)都易出毛病,我只二只并過,這里面問題太多,話題也在長了.

贊成觀點
MOS 并聯(lián)越多他的利用率就越低 4個管子大概90% 8個管子大概就75%,而且并聯(lián)對驅(qū)動功率要求高.

如果非要並到4個,怎樣才能提高利用率
?

我的圖都貼在上面好久了!
并8只用于6KW的PFC效率.0.97.請大家看看,!!

那就選一致性非常好的MOS
....

也就是Rd(on)比較小的MOSFET,對吧
Rd(on)分佈不很集中會不會有影響?

就是節(jié)電容 RON 放大倍數(shù)
并聯(lián)的MOS分布一定要集中 步線也很講究 特別在高頻大電流的時候盡量減小每個管子的導線壓降很分布電感

我的看法
諸位我不一一回答了.
里面問題多得去,前2天有一幅帖講到米勒電容,其實米勒電容充放的危害在并聯(lián)中是不可不考慮的,1/2C*V*V能量泄放的速度之快,泄放的回路在哪里?并的多電壓高能量就大,且不談電阻誤差、分布參數(shù)、回路電流初始值等等因素的影響,就MOSFET的開通、關斷電壓閥值一樣嗎?不可能理想,同型號不同廠家參數(shù)有差異,使用一段時間多少會發(fā)生變化,這是不好預測的,說道底并很難解決硬開關應力一至的問題.當然,我只講了一個問題.
你硬要4只、10只并,也不是不行,利弊的問題,我見過12只并的硬開關橋電源,輸出指標不敢恭維,并必然影響指標,指標是電源門檻.總之并麻煩多多,我的原則:已知山有虎,何不繞道行?

前輩:總算找到您的這張圖了!...
請問:
1:您的主控電路對3854的典型應用電路做了哪些改進?可否教導一二?
2:圖中主整流橋幾乎是與小整流橋(CR11)的負端相并聯(lián),那么R25(10R)及CR11的負端兩橋臂是否會承受很大的功耗?
3:主控板接口的第1及第2腳是做什么用的?
4:圖中的“J6”是接到哪里去的?
謝謝!

在每個FET的源極分別串很小的平衡電阻如何?
·

考慮米勒效應
每個mosfet應分別添加柵極電阻和柵極放電電阻

理論上,這樣能完全匹配每個FET的特性.然而實際上這是很難操作的:
要準確確定添加的電阻的值困難而且繁瑣.再者,電路布局和布線亦影響電阻的取值.
其實,我認為只有在線性應用時才需要考慮米勒效應的差異,如功放電路.開關應用時,如驅(qū)動夠快,導通的先后稍有差異并不影響工作:馬上就都全部導通了.何況,很多時候初始開通電流總是較小,而后逐漸增大的(反激型).當然如驅(qū)動不夠快,FET損耗以開關損耗為主時就要注意了.
Ron的差異才是主要影響平衡的因素,這可通過串聯(lián)電阻補償:但精確補償將面臨上面述及的困難;通過串聯(lián)比Ron大10倍的電阻又失去意義.較為可行的方法是每個FET單獨構成完整的buck拓撲(或其他拓撲),再并聯(lián).這樣解決了很多問題,就是電路稍為復雜,成本可能稍為增加.

多個管并聯(lián)用,可以在驅(qū)動變壓器上做工作!
就是麻煩些,用多個繞組,每個繞組一個管.瀉放用三極管,不用MOS,炸管主要是米勒電容的電沒放完,偶合到柵極而造成誤導通造成的,

支持yny1224兄的方案
加入多繞組驅(qū)動及瀉放管后雖麻煩些,但可靠性會效高,我正準備用此方案(8只二二并管)試做10kw120khz,dc540v-dc540全橋移相軟電源.

祝你成功,!
祝你成功,!新年快樂

新年快樂!
謝謝yny1224兄!新年快樂!

高速IGBT一只即可,(230KHZ)
!!

二極管還是用了30A的,從圖上看來好像二極管也并聯(lián)使用了,
二極管并聯(lián)使用的效果能行么?

還有irfp460本身就有體二極管,外接的二極管與460的體二極管也是并聯(lián)的實際工作中到底是那個二極管起作用哦,所有并聯(lián)的二極管都在工作么?