annd：
我不是來拍磚更不是來攪局的，也沒有認(rèn)真考慮，對(duì)不對(duì)供你參考： 一來現(xiàn)實(shí)中電阻是有寄生電感的，這會(huì)導(dǎo)致MOS管開通時(shí)越過門檻電壓的時(shí)間變長，增加功耗，也就是說這里使用有源器件是不是要多考慮考慮；二則一旦短路，晶體管可能是飽和到放大來回折騰，最終會(huì)穩(wěn)定在線性放大狀態(tài)，也就說MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)穩(wěn)在門檻電壓上，DS的電壓就是電源電壓刨去電阻電壓，MOS管工作在大電流高電壓狀態(tài)下，我的理解不要用晶體管去拉MOS驅(qū)動(dòng),應(yīng)該送到相關(guān)電路快速切斷MOS驅(qū)動(dòng)，或鎖掉或帶斯密特回差，我比較認(rèn)同第二張圖。