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TNY278設計的12V電源

TNY278是PI的低功耗高效率的電源控制IC，其內部集成700V高壓MOSFET管、振蕩器,同時集成了高壓開關電流源功能、電流限流功能及熱關斷功能。采用開/關控制方式，提供一個靈活的設計方案，電流限流點可得到更高的峰值功率，或在開放式應用中得到更高的連續輸出功率，適合于低成本電路，具有出色的靈活性。

本次利用TNY278設計的6W的小功率開關電源，電源支持寬范圍的輸入電壓，電路輸出電流0.5A，輸出電壓12V，電路功耗低、效率高。

12V1A

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k6666
LV.9
2
2020-12-04 12:36
無需偏置繞組或偏置組件,頻率調制降低l了電源的成本。
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k6666
LV.9
3
2020-12-04 12:37
@k6666
無需偏置繞組或偏置組件,頻率調制降低l了電源的成本。
芯片精確的遲滯熱關斷保護與自動恢復需要消除了手動復位，增加安全性和可靠性。
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svs101
LV.8
4
2020-12-04 16:14
@k6666
無需偏置繞組或偏置組件,頻率調制降低l了電源的成本。
輸入欠壓檢測閾值設置使用單可選電阻,元件數目很少增強可靠性和支持單雙面印刷電路板布局
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svs101
LV.8
5
2020-12-04 16:15
@k6666
芯片精確的遲滯熱關斷保護與自動恢復需要消除了手動復位，增加安全性和可靠性。
主控芯片的高帶寬，可以提供快速的無過沖和出色的瞬態負載響應。
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svs101
LV.8
6
2020-12-04 16:15
結合了高電壓功率MOSFET開關同在一個設備的電源控制器.不同于傳統的PWM。
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fengxbj
LV.8
7
2020-12-04 16:25
@k6666
芯片精確的遲滯熱關斷保護與自動恢復需要消除了手動復位，增加安全性和可靠性。
TNY278低系統成本和高靈活性方案，簡單的開/關控制，無需環路補償
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fengxbj
LV.8
8
2020-12-04 16:26
@svs101
結合了高電壓功率MOSFET開關同在一個設備的電源控制器.不同于傳統的PWM。
適合小型功率電子產品的電源供給，也可以作為輔助電源設計應用。
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uf_1269
LV.8
9
2020-12-04 17:14
@svs101
結合了高電壓功率MOSFET開關同在一個設備的電源控制器.不同于傳統的PWM。
TNY278主要是用來設計小功率電源的，輸出采用開關模式來恒壓，也就是變頻模式。
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uf_1269
LV.8
10
2020-12-04 17:16
@svs101
輸入欠壓檢測閾值設置使用單可選電阻,元件數目很少增強可靠性和支持單雙面印刷電路板布局
PI的 TNY 系列 是可以通過2個外置電阻設置電壓工作上下門限的，典型值4M的阻值。
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cb_mmb
LV.8
11
2020-12-04 17:20
@uf_1269
PI的TNY系列是可以通過2個外置電阻設置電壓工作上下門限的，典型值4M的阻值。
可以通過調節這個電阻，調節上下門限值，我記得是可以70VDC啟動的 TNY系列。
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cb_mmb
LV.8
12
2020-12-04 17:22
@uf_1269
TNY278主要是用來設計小功率電源的，輸出采用開關模式來恒壓，也就是變頻模式。
采用這種開關模式可以大大降低空載跟待機時的功率損耗。也就是省電。
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gxg1122
LV.10
13
2020-12-05 12:26
@uf_1269
PI的TNY系列是可以通過2個外置電阻設置電壓工作上下門限的，典型值4M的阻值。
是可以這樣操作的，設計調試簡單，就是精度由電阻精度決定。
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gxg1122
LV.10
14
2020-12-05 12:27
@cb_mmb
采用這種開關模式可以大大降低空載跟待機時的功率損耗。也就是省電。
比較省電，待機功耗非常低。適合小功率的產品應用。
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gxg1122
LV.10
15
2020-12-05 12:28
@svs101
主控芯片的高帶寬，可以提供快速的無過沖和出色的瞬態負載響應。
電源的設計輸出精度比較高，產品的優勢是高效率低功耗。
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svs101
LV.8
16
2020-12-08 14:38
@fengxbj
TNY278低系統成本和高靈活性方案，簡單的開/關控制，無需環路補償
系統的電源體積比較小，適合小空間要求的開發方案。同時產品的待機功耗很低。。
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fengxbj
LV.8
17
2020-12-08 14:47
@cb_mmb
采用這種開關模式可以大大降低空載跟待機時的功率損耗。也就是省電。
12V的小功率電源做輔助供電的方案比較多，待機功耗低，可以滿足大部分的需求。
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2020-12-14 12:29
@svs101
系統的電源體積比較小，適合小空間要求的開發方案。同時產品的待機功耗很低。。
TNY278芯片在待機電源的設計應用案例比較多，功耗小，電路簡單，滿足大部分的輸出電壓需求。
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2020-12-14 12:30
@cb_mmb
可以通過調節這個電阻，調節上下門限值，我記得是可以70VDC啟動的TNY系列。
那這個電壓是挺高的。電源的開發應用保護比較齊全，設計起來簡單。
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謝厚林
LV.12
20
2021-01-27 08:48
@塵埃中的一粒沙
那這個電壓是挺高的。電源的開發應用保護比較齊全，設計起來簡單。

這個產品非常好，簡單可靠，有一個小缺點：就是沒有輸入過壓保護，輸入過壓保護在家電應用中非常重要。

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opingss88
LV.10
21
2021-05-05 11:38
@fengxbj
TNY278低系統成本和高靈活性方案，簡單的開/關控制，無需環路補償

保持輸出二極管的導通時間和整個開關周期時間比例恒定，實現了輸出電流的恒定

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opingss88
LV.10
22
2021-05-05 11:39
@gxg1122
是可以這樣操作的，設計調試簡單，就是精度由電阻精度決定。

反饋引腳直接連接到分壓器網絡，以實現快速瞬態負載響應

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黑夜公爵
LV.10
23
2021-05-05 11:40
@塵埃中的一粒沙
TNY278芯片在待機電源的設計應用案例比較多，功耗小，電路簡單，滿足大部分的輸出電壓需求。

電流限流狀態調節器在中輕度負載條件下以非連續方式降低電流限流閾值

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黑夜公爵
LV.10
24
2021-05-05 11:41
@fengxbj
TNY278低系統成本和高靈活性方案，簡單的開/關控制，無需環路補償

在接近交流峰值電壓處僅在很短的時間內才有輸入電流流經橋式整流電路

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lx25hb
LV.8
25
2021-05-05 20:33
@cb_mmb
采用這種開關模式可以大大降低空載跟待機時的功率損耗。也就是省電。

開關管的損耗有三個部分，分別為導通損耗，柵極損耗和開關損耗。 

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uf_1269
LV.8
26
2021-05-05 20:43
@lx25hb
開關管的損耗有三個部分，分別為導通損耗，柵極損耗和開關損耗。 

導通損耗其實就是導通損耗 MOSFET完全導通時，漏－源之間有一個電阻Ron上的損耗。

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xxbw6868
LV.10
27
2021-05-05 20:46
@uf_1269
導通損耗其實就是導通損耗MOSFET完全導通時，漏－源之間有一個電阻Ron上的損耗。

柵極損耗為驅動柵極電荷損耗。即柵極電容的充放電損耗，它不是損耗在MOSFET上，而是柵極 電阻或驅動電路上。

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spowergg
LV.10
28
2021-05-05 20:58
@xxbw6868
柵極損耗為驅動柵極電荷損耗。即柵極電容的充放電損耗，它不是損耗在MOSFET上，而是柵極電阻或驅動電路上。

開關損耗是隨著MOSFET的交替導通與截止（非諧振），瞬態電壓和電流的交越導致功率損耗。

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kckcll
LV.9
29
2021-05-05 21:02
@spowergg
開關損耗是隨著MOSFET的交替導通與截止（非諧振），瞬態電壓和電流的交越導致功率損耗。

開關電路中帶有電感，電流或電壓一般總是同時達到最大時轉換。

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dianre888
LV.6
30
2021-05-05 21:05
@kckcll
開關電路中帶有電感，電流或電壓一般總是同時達到最大時轉換。

從損耗的角度希望驅動越硬越好，也就是要求驅動波形的前后沿陡。

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beakline
LV.6
31
2021-05-05 21:10
@dianre888
從損耗的角度希望驅動越硬越好，也就是要求驅動波形的前后沿陡。

因為MOSFET的輸入是一 個電容，驅動波形越陡，即開關時dUg/dt越大。

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