PD快充的設(shè)計(jì)疑問(wèn)？
本人剛接觸快充電源，請(qǐng)教各位大神，快充方案 USB-C接口 用N-mos 或者P-mos的用意是什么，有什么區(qū)別？
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這問(wèn)題, 之前有做詳述, 可能你沒(méi)看到, 在此贅述一次:
PD由於變化電壓基礎(chǔ)為5V, 經(jīng)過(guò)系統(tǒng)溝通後可變?yōu)?V, 15V , 20V
但是, 當(dāng)Connect拔出後, 對(duì)於電源端等於是空載, 因此
當(dāng)電壓升為20V對(duì)筆電充電後突然拔出, 此時(shí)由於空載所以 Connect 必然帶20V電壓, 此時(shí)Connect插入手機(jī)時(shí)
則20V會(huì)灌入手機(jī), 此時(shí)手機(jī)必?zé)?.....
所以規(guī)範(fàn)內(nèi)必須有
開(kāi)關(guān): 當(dāng)Connect拔出後, 失去溝通, 開(kāi)關(guān)必須馬上關(guān)閉輸出
洩放電阻: 假如於開(kāi)關(guān)前後都裝有電容, 則開(kāi)關(guān)關(guān)閉後, 必須對(duì)Connect末端做洩放, 把電容電壓放掉
而這些功能大多做在辨識(shí)IC內(nèi) , 作為插拔測(cè)試規(guī)範(fàn)
至於使用P-MOS或N-MOS 主因是P-MOS為L(zhǎng)ow Active , 對(duì)於辨識(shí)IC而言, 驅(qū)動(dòng)很方便, 但是P-MOS要做到低RDSon會(huì)較貴, 且是兩顆串聯(lián)
如果使用N-MOS, 則辨識(shí)IC必須有自舉電路, 但是對(duì)於N-MOS而言, RDSon可以做到極低, 且價(jià)錢(qián)很便宜
所以用P-MOS 則MOS貴, 辨識(shí)IC便宜
用N-MOS 則MOS便宜, 辨識(shí)IC貴
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