【晶振濾波布局布線篇】：這是一個(gè)重點(diǎn),在我們的電路設(shè)計(jì)里面很少M(fèi)CU不用到晶振的情況，MCU是提供的內(nèi)晶振的，同樣提供外晶振接口，那么問題來了，我們?yōu)槭裁匆油饩д瘢遣皇窃黾映杀韭铮鋵?shí)使用外晶振還是內(nèi)晶振取決于你的精度要求，晶振的目的在于定時(shí)，那么應(yīng)用中，一個(gè)隔1s響一聲的蜂鳴器控制，和給機(jī)器注1s的某種降溫液體的控制的需求是完全不一樣的，在于這1s的精度是多少，扯得有點(diǎn)遠(yuǎn)，打個(gè)簡單的比方，加入MCU提供8MHZ的內(nèi)晶振，其實(shí)際晶振是受溫度波動影響很大的，有時(shí)候可能會偏離到你無法現(xiàn)象的數(shù)值，而采用外晶振可以有助于設(shè)計(jì)精度的提升，所以推薦大家用外晶振，不論是主頻控制晶振，還是RTC始終晶振源，那么這里就講一下，如何布線布局能將晶振收到的干擾降到最低，前人經(jīng)驗(yàn)，我只總結(jié)，不要問我為什么做（我也無言以對，選擇相信前人）。

晶體π型（大家覺得長得像吧）濾波走線采用類差分走線，采用多根走線方式布線，布局布線如下：

考慮晶體為一個(gè)干擾源，采用立體包地處理，路徑上加回流地過孔（目的屏蔽干擾），如下：

【差分篇】：一切都是為了D+ 和 D-....

在進(jìn)行USB接口布線時(shí)，你會遇見一對好兄弟，D+和D- 這倆兄弟走線時(shí)要走差分線，原理就先不介紹了，我也沒怎么搞明白，講講如何設(shè)置到布線吧哈。

D+/D- 為差分線（等線寬等間距走線），涉及阻抗計(jì)算（暫不講），DC快捷鍵創(chuàng)建差分類，如下：

向差分類中添加差分網(wǎng)絡(luò)，這里和我前面講的創(chuàng)建PWR類并添加網(wǎng)絡(luò)不太一樣，稍有些復(fù)雜，筒子們操作一次就會啦，如下：

在差分線規(guī)則中設(shè)90OM的相關(guān)布線規(guī)則，這里涉及到阻抗計(jì)算不講（筒子們有資源請分享），我們講如何設(shè)置，

快捷鍵DR打開布線規(guī)則，點(diǎn)擊Differential Pairs Routing，創(chuàng)建新的規(guī)則命名為90OM，添加我們創(chuàng)建的差分類，并設(shè)置線寬，根據(jù)阻抗計(jì)算，這里設(shè)置為9mil，如下：

在進(jìn)行差分走線時(shí)，我們只需啟動差分布線功能布線就可以了，中間可以進(jìn)行手工調(diào)整。

沒有把差分線阻抗計(jì)算這塊講明白有些遺憾，先留下吧，等我研究研究，整明白了，在補(bǔ)充上。

【布線終篇】：到這里基本我能想到的都提了一下，還有一些補(bǔ)充的內(nèi)容，我們補(bǔ)充一下，就醬拉。。。

補(bǔ)充1：走線盡量不要大于焊盤，例如我們之前設(shè)置PWR為15mil在你真正布線的時(shí)候，你發(fā)現(xiàn)連接MCU供電時(shí)，線寬大于引腳寬度，這時(shí)候你需要變通一下，改小線寬，讓線寬與引腳寬度等寬，完美。

補(bǔ)充2：布線時(shí)可以適當(dāng)?shù)恼{(diào)整布局，布局是為了更好的布線，所以布線時(shí)如感覺布局不太合適可以小規(guī)模修改。

補(bǔ)充3：修線技巧，修線時(shí)按住ctrl 對線進(jìn)行調(diào)整會有意想不到的驚喜。

補(bǔ)充4：修線是一個(gè)一層一層慢條斯理的過程，從頂層到底層，修完頂層時(shí)，盡量少移動過孔，不得已移動時(shí)，需要切換到頂層查看是否有影響。

補(bǔ)充5：布線是一個(gè)先拉刪掉在拉刪掉在拉后調(diào)再調(diào)的過程，沒有所謂的一步完美。你總可以做得更好。

鋪銅留到后面的后期處理講吧，筒子們債見。。。

還是長篇連載呢

你可以準(zhǔn)備準(zhǔn)備出書了，還有兩章估摸著結(jié)束  哈哈哈