這兩個RCD吸收電路 ，為什么二極管與電容放的位置不一樣啊，有什么區別嗎?
新人求解這兩種RCD電路有什么區別？
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完蛋了, 這帖這麼久沒人回.....
如圖:
上圖, 當開關ON 時, 電流流過變壓器同時也對C充電, 此時VC=VL, 當開關Off後, 變壓器產生一個-VL, 其極性與VC
相反, 因此透過D將兩個電荷抵銷, 使VC=0 , VL=0
另一個:
這兩種Snubber 上一接法不管開關ON或OFF都有損耗, 但其吸收效果非常好, 所以大多用在大功率電源上
下一接法其損耗較低, 但吸收效果略差, 通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當開關ON時,電流流過變壓器同時也對C充電,此時VC=VL,當開關Off後,變壓器產生一個-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個:[圖片]當第一周其開關導通時,電流只流過變壓器,並不會對C充電,當開關Off時,變壓器產生一個-VL,此時透過D為順向對C充得依個VC電壓,當開關在次導通後,VC則藉由R對其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
分析的太好了，學習了。
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當開關ON時,電流流過變壓器同時也對C充電,此時VC=VL,當開關Off後,變壓器產生一個-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個:[圖片]當第一周其開關導通時,電流只流過變壓器,並不會對C充電,當開關Off時,變壓器產生一個-VL,此時透過D為順向對C充得依個VC電壓,當開關在次導通後,VC則藉由R對其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
為什么說第一個的吸收效果好于第二個？
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@gaohq
為什么說第一個的吸收效果好于第二個？
第一個, MOSFET_ON時, 電容就充電, 所以VC=VL
MOSFET_OFF時, 變壓器原邊產生一個-VL, 所以電容是以二極體搭橋, 以VC-VL型態放電
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第二個當MOSFET_ON時, 電容不充電
當MOSFET_OFF時, 電容才充電
當MOSFET再次ON時, 電容RC放電常數必須小於Ton時間常數, 若RC放電常數大於Ton
那麼電容由於沒有清空能量, 所以下一次OFF時吸收力就差....
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當開關ON時,電流流過變壓器同時也對C充電,此時VC=VL,當開關Off後,變壓器產生一個-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個:[圖片]當第一周其開關導通時,電流只流過變壓器,並不會對C充電,當開關Off時,變壓器產生一個-VL,此時透過D為順向對C充得依個VC電壓,當開關在次導通後,VC則藉由R對其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
您好!關於第一個分析的部分我有一個地方不太了解，就是開關off時，變壓器產生一個-VL，在圖上的極性為上-下+，Vc的極性為上+下-，這樣Vc透過二極體與VL相接時不應該是相加在一起嗎?為何是說抵銷呢?
麻煩您幫我解惑，謝謝!!
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