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tl494升壓電路

如下面兩張圖,我是saber仿真原理圖和仿真圖,我想設計的是輸入12V,輸出24V,仿真圖里面輸出只有12.418V,tl494的鋸齒波正常,輸出占空比看的是一個片段。494的兩個誤差放大器,其中一個是電壓反饋,另一個本來應該是電流檢測吧,我不會用就沒有用這一部分。這個電路問題在哪,怎么仿真都沒通過,順便一提,仿真都通過不了,焊出來是不是肯定不行,圖片如下:

QQ圖片20170919204812

QQ圖片20170919204806

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flying123
LV.6
2
2017-09-20 00:01
沙發
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2017-09-20 10:37
恭喜被添加到社區經典圖庫,并獲得1積分
http://www.laiyangyintong.cn/bbs/classic/
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2017-09-20 13:54

你這不用仿真, 用看的就知道不行了, 這要焊板上去肯定電晶體可以拿來煎蛋.....

把所有494器件都不看, 單看q_3p電晶體,  當Low Active 時, 電晶體可以導通, 電流通過電感, 電晶體E_C落地

, 此時能量儲存於電感上, 當High Active 時, 電晶體_B是接於12V, 然後電晶體E接於Vi+VL點, 此時, 電晶體E電壓

又高於B, 那E_C又導通, 不必494來推自己就通了不是? 所以你的電壓被箝位在

VL = Ib * 10K+ Vbe 的點, 換成NPN吧, 升壓還第一次看到用PNP的....... 

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lz1522
LV.3
5
2017-09-20 14:38
@juntion
你這不用仿真,用看的就知道不行了,這要焊板上去肯定電晶體可以拿來煎蛋.....把所有494器件都不看,單看q_3p電晶體, 當LowActive時,電晶體可以導通,電流通過電感,電晶體E_C落地,此時能量儲存於電感上,當HighActive時,電晶體_B是接於12V,然後電晶體E接於Vi+VL點,此時,電晶體E電壓又高於B,那E_C又導通,不必494來推自己就通了不是?所以你的電壓被箝位在VL=Ib*10K+Vbe的點,換成NPN吧,升壓還第一次看到用PNP的....... 
好的,謝謝
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2017-09-20 22:00
@juntion
你這不用仿真,用看的就知道不行了,這要焊板上去肯定電晶體可以拿來煎蛋.....把所有494器件都不看,單看q_3p電晶體, 當LowActive時,電晶體可以導通,電流通過電感,電晶體E_C落地,此時能量儲存於電感上,當HighActive時,電晶體_B是接於12V,然後電晶體E接於Vi+VL點,此時,電晶體E電壓又高於B,那E_C又導通,不必494來推自己就通了不是?所以你的電壓被箝位在VL=Ib*10K+Vbe的點,換成NPN吧,升壓還第一次看到用PNP的....... 
開關管建議用NMOS,看下http://www.laiyangyintong.cn/bbs/1542828.html
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lz1522
LV.3
7
2017-09-20 22:37
@ymyangyong
開關管建議用NMOS,看下http://www.laiyangyintong.cn/bbs/1542828.html。
好的,謝謝
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