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小技藝!

在一些應(yīng)用中常用幾個MOSFET并聯(lián)擴流或散熱.
當(dāng)用有保護的電源調(diào)試系統(tǒng)時不小心電路出了問題時,通常只會燒一個管.用萬用表打在電阻擋,檢測每個MOSFET的D-G的電壓,紅筆接D,電阻最小的那個MOSFET就是損壞的那個.
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liuxr
LV.4
2
2005-02-02 11:50
好啊!多點上傳吧!
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2005-02-02 14:34
有沒有了還?
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chen5580
LV.4
4
2005-04-09 20:06
@斯文敗類
有沒有了還?
你還有其他的嗎??
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2005-05-27 18:17
是不用拆下來量嗎?
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chc-2004
LV.5
6
2005-05-27 18:20
@磚塊電源
是不用拆下來量嗎?
對
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2005-05-28 09:36
是在斷電還是上電的情況下??萬用表的電阻打到什么檔位??
IGBT呢是不是同樣的道理啊??
0
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2005-06-02 10:39
要是全部都并聯(lián)了怎么辦
0
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daihuabo
LV.2
9
2005-07-25 23:18
我也聽別人講過  剛開始不理解    MOS 不是隨溫度上升電阻會變大嗎.
那這不就剛好可以做到THERMAL平衡嗎.可實際不是這樣的  我想是即使是
相同的MOS 參數(shù)還是有差異的結(jié)果吧.
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hvic
LV.4
10
2005-07-26 18:19
@daihuabo
我也聽別人講過  剛開始不理解    MOS不是隨溫度上升電阻會變大嗎.那這不就剛好可以做到THERMAL平衡嗎.可實際不是這樣的  我想是即使是相同的MOS參數(shù)還是有差異的結(jié)果吧.
一定有差異的,最厲害要有正負30%
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滄海笑
LV.1
11
2006-05-22 14:37
我要虛心的向你學(xué)習(xí)哦.
0
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李紹波
LV.9
12
2006-05-22 17:24
@daihuabo
我也聽別人講過  剛開始不理解    MOS不是隨溫度上升電阻會變大嗎.那這不就剛好可以做到THERMAL平衡嗎.可實際不是這樣的  我想是即使是相同的MOS參數(shù)還是有差異的結(jié)果吧.
但當(dāng)受不了時總有一個先壞,不可能同時壞的,壞了1支后電源短路,燒保險,如無保險,燒斷與這支管的線路,然后燒下一支管,(就像打CS時,N個人打一個只有1分的人,不管你多么同時,肯定只有一個人先打到)
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2006-05-22 21:31
該怎樣保護場效應(yīng)管
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daihuabo
LV.2
14
2006-05-23 21:40
@lhdj987654321
該怎樣保護場效應(yīng)管
不知是什么方面的保護
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andywong
LV.3
15
2006-05-23 23:38
用示波器來看更加快,波形不正常的那個就是了.
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hintman
LV.5
16
2006-05-24 21:01
@daihuabo
我也聽別人講過  剛開始不理解    MOS不是隨溫度上升電阻會變大嗎.那這不就剛好可以做到THERMAL平衡嗎.可實際不是這樣的  我想是即使是相同的MOS參數(shù)還是有差異的結(jié)果吧.
MOS導(dǎo)通電阻的正溫度特性只影響MOS開啟后的平衡,由于熱傳遞的速率問題,也只能當(dāng)作長期效應(yīng),對于開啟和關(guān)斷瞬間的損耗是沒有辦法平衡的.
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2006-05-24 23:58
@daihuabo
不知是什么方面的保護
場管莫名其妙的經(jīng)常損壞,不知是何道理?
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2006-05-25 00:04
@daihuabo
不知是什么方面的保護
請教大哥:場管K2313用什么型號管子能代替?
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msipower
LV.1
19
2006-05-25 08:16
@斯文敗類
有沒有了還?
你也可以將電表打到“二極體”值的擋位,分別檢測G、D、S相對的二極體值,正常為無窮大,燒掉的MOS的二極體值會很小.
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msipower
LV.1
20
2006-05-25 08:22
@磚塊電源
是不用拆下來量嗎?
有的時候要拆下量才可以,象幾個mos并聯(lián)使用的時候,D、S間短路的時候就打不出是那個短路,必須要拆下才可以量測
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msipower
LV.1
21
2006-05-25 08:22
@夏夜流螢
要是全部都并聯(lián)了怎么辦
呵呵
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msipower
LV.1
22
2006-05-25 08:24
@lhdj987654321
場管莫名其妙的經(jīng)常損壞,不知是何道理?
看你是什么線路了???
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msipower
LV.1
23
2006-05-25 08:25
@andywong
用示波器來看更加快,波形不正常的那個就是了.
反對!并聯(lián)的時候你量測波形都是異常的!!
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sinican
LV.8
24
2006-05-25 10:52
@msipower
你也可以將電表打到“二極體”值的擋位,分別檢測G、D、S相對的二極體值,正常為無窮大,燒掉的MOS的二極體值會很小.
這需要斷開每一個并聯(lián)的才可以!China-One Enterprise Co., Ltd.
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msipower
LV.1
25
2006-05-26 12:58
@sinican
這需要斷開每一個并聯(lián)的才可以!China-OneEnterpriseCo.,Ltd.
非常正確
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sinican
LV.8
26
2006-05-26 14:39
@msipower
非常正確
謝謝領(lǐng)導(dǎo)批示!!China-One Enterprise Co., Ltd.
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wyzlsq
LV.6
27
2006-05-27 19:17
由于在并聯(lián)中一般的MOSFET 都有柵極消振電阻,一般在幾歐到幾十歐左右,而損壞的一般都是三個極均穿通,所以直接用R*1檔去測量R GS ,阻值極小的一組就是損壞的MOSFET.如果不行就斷開柵極消振電阻再去測就可以了.比從散熱片上一個個拆了再檢查要方便得多.
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yinxiaofang
LV.4
28
2011-02-27 22:52
謝謝
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