好貼, 能不能發表一個閣下的讀后感想?

文章很不錯,很值得仔細閱讀,尤其是對于開關電源設計者.希望大家多上傳些好文章,好東西共同分享嘛!先謝謝各位啦!

的確是好文章,需要好好的研讀

我好佩服你的英文水準喔.

總結一下:
1.如果可以采用單個大功率器件, 盡量不要使用多個功率器件并聯的方式.
2.如果存在多個負載, 并使用多個功率器件供電, 最好各負載由不同的功率器件供電, 盡量不要并聯.
3.Ron特性為正溫度系數的器件, 更適合于并聯.并聯時要求使用同一塊散熱片.
4.Ron特性為負溫度系數的器件, 也可以并聯.并聯時要求必須使用同一塊散熱片.
5.多個功率器件并聯時, 至少要留有30%以上的通流余量.

其實我看得不是很懂的.
多謝athenchen的總結阿,
現在總算是七七八八了.

平時我聽說PT的IGBT并聯會有問題,
是怎么一回事呢?
請教各位大俠.

APT文章:在高壓高頻系統中如何測量VDS(on),VCT(sat)
1106808842.pdf

總結的不錯,我也來簡單說幾句.
首先,多個功率器件并聯時,降額使用是必要的,但具體降多少,應該由并聯個數、器件一致性以及電路設計等多種因素來共同決定.并聯的個數越多,降額應越大.
此外,器件并聯時,器件的選擇、驅動電路的選擇、散熱器的選擇和安裝以及布線等對電路設計都同樣重要.以MOSFET并聯為例,器件的閾值電壓(對高頻應用很重要)和導通電阻一致性越高越好;每一器件的驅動電壓和驅動電流能力應該相同,而且驅動電路的輸出阻抗要足夠低(對器件的開通和關斷損耗的降低以及提高開關頻率很重要);所有器件應共用同一散熱器,如果必須使用多個散熱器,每一器件芯片到環境的熱阻抗都應時相匹配的,并且每一散熱器與MOSFET器件的接觸都要良好(保證熱量能即時散發出去);器件、母線、接線的布局要對稱,柵驅動回路的面積要盡可能小,以使源極寄生電感降低(對器件的開通和關斷很重要),而且每一開關器件都要使用一單獨的柵電阻(均流電阻),不要將各柵極直接相連.
希望大家能多多發言,共同討論.