這是說什么啊?

討論單端反激式電源開關頻率

我的意思是說你在亂講!
我有下列疑問:
1,關于變壓器:MOS關斷時,是工作在變壓器狀態下.這是什么意思啊?
2,按你上面的推斷,是因為頻率高了變壓器的損耗會增大、效率會降低,才不把MOS開關頻率定太高的.是這樣的嗎?

如果您知道的話,可以指出?讓不清楚得人提高一下

關于反激變壓器說明如下:
1,變壓器不存儲能量.
2,反激變壓器,首先存儲能量(用主繞組電感)——電能轉化為磁能;再釋放能量(通過輸出繞組釋放)——磁能轉化為電能傳輸出去.
3,轉換時滿足安培定律:Np*Ip=Ns*Is.
關于MOSFET說明如下:
1,影響MOSFET損耗大小的本身因素,主要由Rds(on)和開關特性.
2,開關頻率升高后,開關特性對損耗的影響越來越顯著.

最高開關頻率的確定,是變壓器鐵損和銅損,MOSFET開關損耗和Rds(on)損耗,經過不斷優化的結果(效率和EMI特性的實現成本達到平衡).如果不采用特殊的鐵芯(比PC47更好)和特殊的MOS(CoolMOS),反激式開關電源的最高開關頻率應該不會超過100KHz.

說得不好,請各抒己見!

反激電源開關頻率一般不大于100KHz?不會吧,象用TOP247YN芯片做到132K是很平常的事情,也沒有見到變壓器需要特殊的材料的呀.

就是嘛 TOP起碼都是100KHZ

MOS開關頻率越高當然損耗就越大了,頻率PI的EN封裝都可以達到132KHZ,不知閣下的結論是怎么定下的?

支持樓上的說法

PI的東西,是集成MOS的!那個是不是性能特別好(Ciss、Crss和Coss)呢?或者,是不是內部對集成MOS的驅動能力很強呢?我們不得而知.
我們是用普通的PWM IC加一般的MOS做過實驗的!開關頻率高于86KHz(因為電阻阻值的不連續性,所以大致是這么多),效率就會變低.不相信的話,你自己可以做實驗.

沒有啊,我這里有成熟的用UC3843做的60W電源,上邊也是獨立MOS管,我們的頻率也能上100K啊,所以,我認為你所謂的頻率不能高于100K有些欠穩妥,呵呵.對了,朋友,你可不可以去看看我的另一個提問,幫我參考一下,因為這是我第一次設計主變.http://bbs.dianyuan.com/topic/494137 ,特別關注23 貼,謝謝了.

你頻率做再高,沒人說你

呵呵,謝謝你的指點,可以幫我看看我的問題嗎,我現在也有個問題想請教下你,我的模塊是:輸出為 600V5A  ,主變溫度在老化穩定后磁芯和線包穩定在110度,我的模塊參數是這樣的:380VAC輸入,全橋拓撲,開關頻率20K,整機效率0.87,輸出用全橋整流.主變為EE55/28/21雙磁芯.以前的主變是初次級為:3*1mm*30T:1*1mm*50T,而我現在重新設計的參數是這樣的,電流密度取400,Bm =2000 GS ,Dmax =0.8  ,主變原邊電壓為400~600V,最大輸出600V,5A,用雙EE55/28/25 ,初次為:3*0.9mm*32T:2*0.9mm*54T,不知道這樣行不行,現在準備做樣,希望好心人快幫幫我,謝謝了

樓上說得好!你頻率再高,沒有人說你.你想高就高吧!

你有沒有嘗試過,頻率低一點,反而整機性能會好一些呢?
折衷,是開關電源設計的靈魂!開關頻率,兩三百KHz也很多(反激式較少),幾MHz的,也很多.要的是,各種拓撲結構及零件選擇后,選多大頻率才是比較優化的“折衷”.

就是所謂找個平衡點....

不同應用的話頻率選擇不同吧.
AC/DC里面的Flyback可能頻率底一點.我碰過Delta有款電源100K以下頻率,所以很容易過CE測試(150k~30M).
但是在小功率DC/DC電源模塊里,我接觸到的Ericsson的Flyback就有510K Hz.

510K是不是用硬開關的呀,應該是用軟開關的吧!

DC-DC過的認證標準不同啊,肯定測試方法也不同咯,不可同日而語矣....