真是郁悶,傳導(dǎo)EMI不過(guò)
最近做了個(gè)5W電源,No X, No Y,采用pri-屏蔽-sec-Aux繞法,在Aux 22T時(shí),傳導(dǎo)有10db左右余量,Vdd電壓13V左右,現(xiàn)在希望Vdd提高到20V,所以在其他條件不變時(shí),將Aux增加到36T,結(jié)果EMI在600k~700k居然超標(biāo),其他段沒(méi)有影響,輻射也可以過(guò),繞制方式相同,最后一層采用不同線徑滿繞,不知道為什么?指點(diǎn)指點(diǎn)吧
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傳個(gè)結(jié)構(gòu)繞法給你參考一下.內(nèi)有繞組結(jié)構(gòu).是過(guò)了EMC的.
N1 2 空 2UEWΦ0.23mm 32TS 密繞 2TS 繞滿一層
N2 4 2 2UEWΦ0.18mm 114TS 密繞 2TS 滿層繞制
N3 CU 2 Φ0.05x7.5mm 1.1TS 密繞 3TS 銅皮和繞組以相反方向繞制
N4 9A 7B TEX-EΦ0.55mm 8TS 密繞 3TS 引出全長(zhǎng)25mm,上錫5mm
磁芯 --- --- ----- --- --- 2TS
備注: 1. A,B分別為從9,7腳處(底部)引出的飛線.全長(zhǎng)30mm,上錫5mm.
2. N3銅皮屏蔽繞組,反方向繞制.收尾處焊0.3*2P至2腳.
N1 2 空 2UEWΦ0.23mm 32TS 密繞 2TS 繞滿一層
N2 4 2 2UEWΦ0.18mm 114TS 密繞 2TS 滿層繞制
N3 CU 2 Φ0.05x7.5mm 1.1TS 密繞 3TS 銅皮和繞組以相反方向繞制
N4 9A 7B TEX-EΦ0.55mm 8TS 密繞 3TS 引出全長(zhǎng)25mm,上錫5mm
磁芯 --- --- ----- --- --- 2TS
備注: 1. A,B分別為從9,7腳處(底部)引出的飛線.全長(zhǎng)30mm,上錫5mm.
2. N3銅皮屏蔽繞組,反方向繞制.收尾處焊0.3*2P至2腳.
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@一品堂
傳個(gè)結(jié)構(gòu)繞法給你參考一下.內(nèi)有繞組結(jié)構(gòu).是過(guò)了EMC的.N12空2UEWΦ0.23mm32TS密繞2TS繞滿一層N2422UEWΦ0.18mm114TS密繞2TS滿層繞制N3CU2Φ0.05x7.5mm1.1TS密繞3TS銅皮和繞組以相反方向繞制N49A7BTEX-EΦ0.55mm8TS密繞3TS引出全長(zhǎng)25mm,上錫5mm磁芯-----------------2TS備注:1. A,B分別為從9,7腳處(底部)引出的飛線.全長(zhǎng)30mm,上錫5mm. 2. N3銅皮屏蔽繞組,反方向繞制.收尾處焊0.3*2P至2腳.
在關(guān)注中
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@一品堂
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代表樓主謝謝你
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@一品堂
傳個(gè)結(jié)構(gòu)繞法給你參考一下.內(nèi)有繞組結(jié)構(gòu).是過(guò)了EMC的.N12空2UEWΦ0.23mm32TS密繞2TS繞滿一層N2422UEWΦ0.18mm114TS密繞2TS滿層繞制N3CU2Φ0.05x7.5mm1.1TS密繞3TS銅皮和繞組以相反方向繞制N49A7BTEX-EΦ0.55mm8TS密繞3TS引出全長(zhǎng)25mm,上錫5mm磁芯-----------------2TS備注:1. A,B分別為從9,7腳處(底部)引出的飛線.全長(zhǎng)30mm,上錫5mm. 2. N3銅皮屏蔽繞組,反方向繞制.收尾處焊0.3*2P至2腳.
這個(gè)是PI的專利啊,我們用他們的產(chǎn)品時(shí)用了這個(gè)方法,但在其他產(chǎn)品不敢用,老板怕有麻煩.
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@一品堂
傳個(gè)結(jié)構(gòu)繞法給你參考一下.內(nèi)有繞組結(jié)構(gòu).是過(guò)了EMC的.N12空2UEWΦ0.23mm32TS密繞2TS繞滿一層N2422UEWΦ0.18mm114TS密繞2TS滿層繞制N3CU2Φ0.05x7.5mm1.1TS密繞3TS銅皮和繞組以相反方向繞制N49A7BTEX-EΦ0.55mm8TS密繞3TS引出全長(zhǎng)25mm,上錫5mm磁芯-----------------2TS備注:1. A,B分別為從9,7腳處(底部)引出的飛線.全長(zhǎng)30mm,上錫5mm. 2. N3銅皮屏蔽繞組,反方向繞制.收尾處焊0.3*2P至2腳.
2TS 是什么意思
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