概述:PN8149內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過(guò)流保護(hù)(外部可調(diào))、過(guò)載保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)?dòng)模塊。PN8149為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái),非常適合六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。
特征: 內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET Hi-mode(60kHz PWM) Eco-mode(動(dòng)態(tài)PFM) Burst-mode (25kHz間歇工作模式) 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù) 空載待機(jī)功耗 < 75 mW @230VAC 軟啟動(dòng)技術(shù) 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償 開(kāi)放式輸出功率 >24W@230VAC 優(yōu)異全面的保護(hù)功能過(guò)溫保護(hù)(OTP)過(guò)載保護(hù)(OLP)外部電阻可調(diào)式周期過(guò)流保護(hù)(OCP)過(guò)壓保護(hù)(OVP)CS短路保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域: 開(kāi)關(guān)電源適配器和電池充電器 白色家電、個(gè)人電腦、音響等輔助電源 LCD /PDP電視機(jī)輔助電源