1.如上所示是精通開關電源里面的圖，是MOS管導通的過程，漏極電流Id在Vgs大于Vrh后開始上升，上升到Io。想問的是，MOS導通后，電感電流為三角波上升，我是否理解為導通過程穩定的Id為導通后電感電流開始上升的初始值，但是為什么圖中Id=Io。并且按我的理解上圖應該是指工作在CCM模式，那么BCM模式的話，電感電流初始為0,有改如何理解。

2.MOS管的柵極驅動電阻如何選取，如果為了EMI電話，其值應該盡量大，但是上升時間會變長，影響效率。對于MOS管的上升和下降時間有沒有比較好的參考，大概在多少ns合適，有時為了EMI，只好加大電阻值，但是至少影響效率嗎，太大會不會造成電路異常。

3.外置MOS的話，怎么沒判斷IC的驅動能力是否足夠，一般IC資料會給出SINK 和source電流，如何理解。

4，碰到過在MOS管的S極竄磁珠，量產會有相當比例開機炸機，將磁珠短路就OK，請問磁珠是怎樣影響到，測試突入電壓電流都沒有問題。

以上，學習MOS管碰到的一些問題，請各路高手賜教！