第二代電源的一個(gè)亮點(diǎn)就是采用了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗降低到最小，并且可以實(shí)現(xiàn)高頻化！

這種功率密度越來(lái)越高，肯定是離不開(kāi)磁集成技術(shù)的！

還有一點(diǎn)就是散熱器越來(lái)越小，效率肯定也是越來(lái)越高的！

現(xiàn)在的功率密度能夠做到多少了呢？

能談?wù)劥偶杉夹g(shù)么？還有就是如何把電感做到PCB里面去？

提高頻率是減小體積的一個(gè)重要方法！

那如何將開(kāi)關(guān)損耗降到最低呢？

主要是有軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

首先認(rèn)識(shí)硬開(kāi)關(guān)技術(shù)：

軟開(kāi)關(guān)技術(shù)其實(shí)就是消除電壓和電流的重疊部分！沒(méi)有重疊就沒(méi)有損耗！

移向全橋就是典型的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)：

磁集成技術(shù)無(wú)非就是把體積大的磁性器件體積搞小一點(diǎn)而已！

硬開(kāi)關(guān)在電壓電流都小的時(shí)候損耗也應(yīng)該不大吧！

移向全橋的控制實(shí)在是太復(fù)雜了，但是效率方面好像提升不小！

提高頻率以后開(kāi)關(guān)損耗會(huì)更大，這個(gè)問(wèn)題如何解決呢？

第三代的四分之一磚塊功率能夠做到多大呢？

把體積做小還是需要一定技術(shù)的！

據(jù)說(shuō)現(xiàn)在四分之一磚已經(jīng)做到1200W了！

磁性器件盡量扁平化

硬開(kāi)關(guān)的這種損耗應(yīng)該怎么去算呢？

四個(gè)MOS管的時(shí)序關(guān)系是什么樣的？

這種把磁性器件進(jìn)行扁平化的工藝是不是很復(fù)雜？

這種磁芯看上去好薄啊！

只要有交叉，就會(huì)存在損耗！

S1，S4先通，再斷S1，過(guò)一段時(shí)間后開(kāi)S2，再斷S4，再開(kāi)S3

必須做薄，不然管理4密度是做不高的！

只能說(shuō)工藝要求是很高的！VICOR肯花錢啊！

先讓MOS管的體二極管先導(dǎo)體就是零電壓開(kāi)通了！

這個(gè)是軟開(kāi)關(guān)的最基本條件吧！

關(guān)鍵是如何去實(shí)現(xiàn)呢？