第一部分:相關概念
1 MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,壓控型器件, 控型門極電壓，阻斷或允許電流在漏極D和源極S間流動.
2氧化層 Metal Layer ：門極,現在多晶硅Polysilicon形成門極,氧化層相當于介電質 Dielectric Material (Dielectric constant).
3氧化隔離層 Oxide Isolation Layer ：防止電流在門極和其它兩電極間D、S極流動，但并不阻斷電場 Electric Field.
4半導體層 Semiconductor Layer ：取決于門極電壓，阻止或允許電流在D/S間流通
5 MOS是多子單極型器件(無少子),受溫度影響小,PMOS多子是空穴,NMOS多子是電子, Majority Carrier.
6 反轉層:Inversion Layer
7 DMOS:雙重擴散MOS, Double Diffused
8 摻雜 Doged, 高摻雜濃度區域 Heavily doped region
2平面垂直導電型功率MOSFET管
2.1 D-MOSFET (VDMOSFET)：Vertical Double-diffused MOSFET，垂直導電雙擴散，70年代商業應用
2.2 平面Planar門極結構：n-type channel is defined by the difference in the lateral extension of the junctions under the gate electrode. The voltage blocking capability is determined by the doping and thickness of the N-drift region.
2.3 多個單元結構。具有相同RDS(on)電阻MOSFET并聯，等效電阻為一個MOSFET單元RDS(on)的1/n，裸片面積越大其導通電阻越低。The drift region resistance increases rapidly with increasing blocking voltage。
3.1 V型溝槽：不容易生產，V尖角容易形成高的電場.
3.2 U型溝槽： U-MOSFET結構90年代商業化應用，平面型的演變，切開翻轉90度。 Silicon表面刻溝槽，The N-type channel is formed on the side-wall of the trench at the surface of the P-base region. The channel length is determined by the difference in vertical extension of the P-base and N+ source regions as controlled by the ion-implant energies and drive times。柵結構不與裸片表面平行而是構建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動真正垂直，最小化基本單元面積(cell pitch小)，在相同的占位空間中可以集成更多的單元從而降低RDSON .
3.3 U-MOSFET structure reduce the on-state resistance by elimination of the JFET component .
垂直導電型功率MOSFET結構圖采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，可以得到P型或N型半導體.襯底通常是塊半導體硅或鍺基片. 摻3價元素形成P, 會在半導體內部形成帶正電的空穴; 摻5價元素形成N. 會在半導體內部形成帶負電的自由電子
P和N的交界面就形成空間電荷區稱PN結,PN結具有單向導電性。在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。
在PN結上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性.
PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓?；镜膿舸C構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。
PN結的平衡態，是指PN結內的溫度均勻、穩定，沒有外加電場、外加磁場、光照和輻射等外界因素的作用，宏觀上達到穩定的平衡狀態。
制造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。
