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樓主威猛！DS加47p電容是不是對100M-200M頻段特別有效果？

一語中的，事前的設計遠比整改有效的多；樓主的MOSFET S極串聯磁珠的方法確實沒有使用過；下次嘗試一下；樓主對60-80M超標有沒有好的方法？

按照46樓的方法，逐一檢測，排除，用圖表和數據說明問題。

確實不易，綜合性能高確實較困難。

低壓滿載還是挺明顯的，應該在1%-1.5%的提升。

3樓已經說的比較清楚，一般要綜合電源的整體效率，MOSFET溫升，電源EMI的因素綜合考慮，測試確定；對于Qg較小，開關速度快得MOS比如超級結，適當增大阻值；對于普通的VDMOS則要適當減小驅動電阻。

分析總結的很有道理。

最好捉取VDS,VGS，IDS信號波形分析，重點是電流波形。你用什么型號的MOSFET，有沒有規格書，核對一下規格書中的SOA，如果在SOA內，MOSFET失效，就要懷疑MOSFET品質，如果不在SOA內，就要檢查你的過流保護電路。 

MOSFET是電壓控制器件，如果驅動電阻比較小，MOSFET受控能力減弱；G端驅動電阻有抑制GS振蕩的作用，如果GS振蕩過大，VGSP-P超過額定值，GS擊穿，MOSFET失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信號波形分析。

470是不是阻值有點太大了，200已經足夠大了。看看保險絲有沒有燒掉，整流橋是否OK。