用MOS的參數(shù)對(duì)比IGBT的參數(shù)有點(diǎn)亂
nC是電量庫(kù)倫的單位,PF是電容容量的單位
為什么要不一樣表示?故意忽悠嗎?
為什么MOS有導(dǎo)通電阻一說(shuō),而IGBT則沒(méi)有?
同樣電壓尺寸為什么IGBT的工作電流是MOS的2倍以上?
用MOS的參數(shù)對(duì)比IGBT的參數(shù)有點(diǎn)亂
nC是電量庫(kù)倫的單位,PF是電容容量的單位
為什么要不一樣表示?故意忽悠嗎?
為什么MOS有導(dǎo)通電阻一說(shuō),而IGBT則沒(méi)有?
同樣電壓尺寸為什么IGBT的工作電流是MOS的2倍以上?