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BP3122 晶豐明源 3102的升級版 討論討論它的優(yōu)缺點~!

 概述
BP3122 是一款高精度原邊反饋的LED 恒流驅(qū)動芯片。
芯片工作在電感電流斷續(xù)模式, 適用于
85Vac—265Vac 全范圍輸入電壓、功率5W 以下的反
激式隔離LED 恒流電源。
BP3122 芯片內(nèi)部集成600V 功率開關(guān),采用原邊反
饋模式,無需次級反饋電路,也無需補償電路,只
需要極少的外圍元件即可實現(xiàn)恒流。采用專有的驅(qū)
動和電流檢測方式,芯片的工作電流極低,無需變
壓器輔助繞組檢測和供電,進(jìn)一步減少外圍元器件,
極大的節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積。
BP3122 芯片內(nèi)帶有高精度的電流取樣電路,使得
LED 輸出電流精度達(dá)到±5%以內(nèi)。芯片采用了特有
的恒流控制方式,可以達(dá)到優(yōu)異的線性調(diào)整率。
BP3122 具有多重保護(hù)功能,包括LED 開路/短路保
護(hù),原邊過流保護(hù),欠壓保護(hù),芯片過溫保護(hù)等。
BP3122 采用SOP-8 封裝。
特點
全部回復(fù)(29)
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aihua1314
LV.2
2
2012-10-12 11:40
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2003hjw
LV.7
3
2012-10-19 10:22
@aihua1314
**此帖已被管理員刪除**
很久沒有聯(lián)系了
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aihua1314
LV.2
4
2012-10-22 12:00
@2003hjw
很久沒有聯(lián)系了

可否加qq聊聊   。詳細(xì)交流一下。

0
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2003hjw
LV.7
5
2012-10-23 11:38
空載電壓沒穩(wěn)定
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aihua1314
LV.2
6
2012-10-26 09:26
@2003hjw
空載電壓沒穩(wěn)定
  你是不是改板了 ,沒按照我們的方案去做吧
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aihua1314
LV.2
7
2012-11-01 10:49
@aihua1314
 你是不是改板了,沒按照我們的方案去做吧
...................
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aihua1314
LV.2
8
2012-11-03 09:51
@aihua1314
...................
``
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aihua1314
LV.2
9
2012-11-06 13:48
@aihua1314
``
 討論 討論 LED驅(qū)動芯片
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2012-12-05 14:59
@aihua1314
 討論討論LED驅(qū)動芯片
支持討論
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sap_david
LV.4
11
2013-01-25 11:32
@aihua1314
**此帖已被管理員刪除**
請?zhí)峁?~5*1W的方案,sap_david@163.com
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alen43001
LV.4
12
2013-03-31 21:54
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alen43001
LV.4
13
2013-03-31 21:57
@alen43001
**此帖已被管理員刪除**
**此帖已被管理員刪除**
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ledriver
LV.4
14
2013-04-02 23:31
@alen43001
**此帖已被管理員刪除**
 
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楓情揚
LV.4
15
2013-04-11 13:59
@ledriver
[圖片] 

 

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suuny
LV.1
16
2013-04-11 14:22
@ledriver
[圖片] 
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suuny
LV.1
17
2013-04-11 14:23
@suuny
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SM7523  炸機討論!
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suuny
LV.1
18
2013-04-11 21:30
@suuny
SM7523 炸機討論!
目前我司SM7523與其他類似型號對比分析:

例如:BP

1、此芯片為雙芯片封裝:在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高,經(jīng)常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經(jīng)過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風(fēng)險。
2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴(yán)格)。
3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。
4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!

SM7523優(yōu)點如下
1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!
2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標(biāo)是:730V的標(biāo)準(zhǔn)。
3. 芯片采用高壓內(nèi)部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩(wěn)定的因素。
4. 芯片內(nèi)部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中,效率高達(dá)80%。

http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html

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alen43001
LV.4
19
2013-04-11 21:40
@suuny
目前我司SM7523與其他類似型號對比分析:例如:BP1、此芯片為雙芯片封裝:在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高,經(jīng)常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經(jīng)過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風(fēng)險。2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴(yán)格)。3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!SM7523優(yōu)點如下1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標(biāo)是:730V的標(biāo)準(zhǔn)。3.芯片采用高壓內(nèi)部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩(wěn)定的因素。4.芯片內(nèi)部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。6、我司SM7523在3*1W中,效率高達(dá)80%。http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html

由于BP官方QQ討論群已解散,因此特建立QQ群:121416938    供大家交流,在這里你們可以暢說欲言的探討B(tài)P的產(chǎn)品的應(yīng)用,這里有BP的原廠FAE,緊急時他會幫我們排憂解難,這里有BP的代理可以幫大家拿到芯片最理想的價格,Come on,Join Us!

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fkzhao
LV.6
20
2013-05-14 18:47
@suuny
目前我司SM7523與其他類似型號對比分析:例如:BP1、此芯片為雙芯片封裝:在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高,經(jīng)常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經(jīng)過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風(fēng)險。2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴(yán)格)。3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!SM7523優(yōu)點如下1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標(biāo)是:730V的標(biāo)準(zhǔn)。3.芯片采用高壓內(nèi)部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩(wěn)定的因素。4.芯片內(nèi)部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。6、我司SM7523在3*1W中,效率高達(dá)80%。http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html

紅光LED不能帶,是什么原因?

 

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qq316260160
LV.2
21
2013-06-27 15:26
@fkzhao
紅光LED不能帶,是什么原因? 
BP3122的技術(shù)討論,請加我QQ如用戶名!
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2013-06-28 09:39
@老鐘電源IC
支持討論

路過,看看

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IC_life
LV.1
23
2013-06-29 10:31
請問,全電壓最高可以做到幾W?
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mingquan23
LV.2
24
2013-09-06 11:55
@IC_life
請問,全電壓最高可以做到幾W?
能做5w,負(fù)載5串電流300mA。整燈5.4W。效率82%
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2013-09-16 12:00

晶豐明源做3/5W一個系列的產(chǎn)品命名規(guī)則:
BP3102:三繞組+反饋
BP3122:雙繞組(在BP3102的基礎(chǔ)上去掉一個繞組)
BP3132(也叫BP9022):在BP3122的基礎(chǔ)上增加OVP電壓可調(diào)電阻
BP3132A(也叫BP9022A):在BP3132(也叫BP9022)的基礎(chǔ)上調(diào)整了下芯片的腳位,內(nèi)部性能不變,主要是針對使用環(huán)境比較差,使用板材比較次些的客戶群體。修改之后增加PCB布線的抗干擾性更強。

BP9021A專門做3W的球泡燈方案

成本更低,功能更完善,推薦給大家,QQ三零二六一九零七七

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IC小馬
LV.2
26
2013-09-20 13:52
我司專營LED驅(qū)動IC,移動電源IC,占空比,晶豐明源,原廠直銷,專做終端工廠客戶,質(zhì)量價格都有優(yōu)勢,可提供方案及技術(shù)支持,為客戶提供更好更方便的服務(wù).馬S:134-2891-1930 QQ:23-555-04931
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8888andy
LV.1
27
2013-10-31 15:01
@suuny
目前我司SM7523與其他類似型號對比分析:例如:BP1、此芯片為雙芯片封裝:在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高,經(jīng)常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經(jīng)過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風(fēng)險。2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴(yán)格)。3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!SM7523優(yōu)點如下1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標(biāo)是:730V的標(biāo)準(zhǔn)。3.芯片采用高壓內(nèi)部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩(wěn)定的因素。4.芯片內(nèi)部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。6、我司SM7523在3*1W中,效率高達(dá)80%。http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html
SM7523炸機率太高了.原廠都無法徹底解決.家寶國際皮包公司鄧軍友跟我做過一百多萬生意的IC出了問題后拍拍屁股理都不理我了.無良小人一個.
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2014-03-10 15:11
@IC小馬
我司專營LED驅(qū)動IC,移動電源IC,占空比,晶豐明源,原廠直銷,專做終端工廠客戶,質(zhì)量價格都有優(yōu)勢,可提供方案及技術(shù)支持,為客戶提供更好更方便的服務(wù).馬S:134-2891-1930QQ:23-555-04931
還行,成本有點高
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zhiwangjie
LV.2
29
2014-03-20 13:46
@aihua1314
 你是不是改板了,沒按照我們的方案去做吧
也請?zhí)峁?~5*1W的方案,272028073@qq.com
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核電池
LV.1
30
2014-12-20 21:00
@suuny
目前我司SM7523與其他類似型號對比分析:例如:BP1、此芯片為雙芯片封裝:在控制及MOS管之間需要打五根線,最后才會將控制+MOS封成SOP8,雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險,因芯片與芯片之間要打線,在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高,經(jīng)常存在打線不牢,或者輕重不一,在終端客戶使用過程中經(jīng)過熱漲冷縮,引起芯片與芯片之間管腳脫層,直接影響芯片的可靠性及良率,雙芯片封裝還會增加炸機的風(fēng)險。2、MOS管的最高耐壓值為:650V(對變壓器要求嚴(yán)格)。3、恒流范圍窄,不能帶單顆紅色燈。4、會有燈閃爍的問題,需要在原副邊增加Y電容解決該問題!SM7523優(yōu)點如下1、我司SM7523是單芯片的封裝,對封裝制程工藝要求低、簡單、可靠性好!2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝,耐壓值可以做到700V以上,我司的成測指標(biāo)是:730V的標(biāo)準(zhǔn)。3.芯片采用高壓內(nèi)部自啟動電路,解決外部高壓電阻啟動的弊端(如:失效、炸機、高壓放電)等不穩(wěn)定的因素。4.芯片內(nèi)部VDD智能供電電路,解決VDD外部供電問題,對電容的要求不高(如:電容耐壓、容值、ESR\ESL)。5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W,不管什么顏色的燈珠都可以兼容。6、我司SM7523在3*1W中,效率高達(dá)80%。http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html
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