【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工業應用（包括電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750 V G1技術的特點是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優值（FOM），在硬開關和軟開關拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對寄生導通的高度穩健性并且實現了單極柵極驅動，不僅提高了功率密度，還降低了系統成本。所有半導體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設計加上英飛凌的認證標準保證了長期穩定的性能。

全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列在25°C時的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開關損耗，大幅提升了整體系統效率。創新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優化電路內功率環路電感，在實現高功率密度的同時降低了系統成本。值得一提的是，該產品系列采用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。

供貨情況

適用于汽車應用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝；適用于工業應用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。更多信息，敬請訪問www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes和系列網絡研討會。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工，在2023財年（截至9月30日）的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。