瑞薩電子(Renesas)的兩相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效eGaN® FET相結合，實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V兩相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在開關頻率為500 kHz的12 V輸入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置為36 V、48 V和60 V。該板在沒有散熱器的情況下，可提供480 W的功率。

穩壓DC/DC升壓轉換器廣泛用于數據中心、計算和汽車應用，在其他輸出電壓中，將標稱的12 V轉換為48 V的配電總線。主要的趨勢是朝著實現更高的功率密度發展。

eGaN®場效應晶體管具有快速開關、高效率和小尺寸等優勢，可以滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。EPC2218是市場上最小、效率最高的100 V的 FET。ISL81807是業界首款集成GaN驅動器的80 V雙路輸出/兩相（單輸出）同步降壓控制器，可支持高達2 MHz頻率。ISL81807采用電流模式控制，產生兩個獨立的輸出或一個具有兩個交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步并聯更多的控制器/更多的相位，提高輕負載的效率和低關斷電流。ISL81807直接驅動EPC氮化鎵場效應晶體管，實現設計簡單、元件數量少和低成本的解決方案。

宜普公司首席執行官Alex Lidow說："瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵器件。我們很高興與瑞薩電子合作，將其優越的控制器與我們的高性能氮化鎵器件結合起來，共創共贏，為客戶提供采用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度和降低系統成本。"

瑞薩電子移動、工業和基礎設施電源部門副總裁Andrew Cowell說："瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充分發揮GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解決方案的BOM成本，因為它不需要MCU、電流感應運算放大器、外部驅動器或偏置電源。它還具有完全保護功能且集成了GaN驅動器。有了ISL81807，使用氮化鎵場效應晶體管的設計就像使用硅基場效應晶體管一樣簡單。”