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納芯微推出國內首款隔離半橋驅動芯片,加速新基建中隔離器件國產化

2020-06-01 14:20 來源:納芯微 編輯:電源網

國內領先的信號鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)宣布推出國內首款高壓隔離半橋驅動芯片NSi6602,該芯片集高隔離耐壓、高可靠性、高集成度、低延時、靈活封裝配置等特性于一體,可應用在5G基站、數據中心、充電樁等新基建重點發展領域。

作為一款隔離式雙通道柵極驅動器,NSi6602具有優異的抗干擾能力,其抗共模瞬態干擾度(CMTI)可達150kV/us,可有效保證系統在各種惡劣環境下正常運行。NSi6602的典型傳輸延時值為19ns,高邊、低邊柵極驅動器之間最大傳輸延遲匹配5ns,最大脈寬失真6ns,有助于減小功率管的死區時間,進而提高系統效率。通過更小的封裝尺寸、更強大的功能設計,NSi6602打破了傳統非隔離式柵極驅動器普遍存在的工作電壓上限低、傳播延遲長、靈活性差等局限性,從而帶來更高的功率密度,幫助系統更快速、更穩健地運行。

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NSi6602性能特點:

隔離式雙通道柵極驅動器

5kV RMS隔離耐壓

輸入側供電電壓:2.7V至5.5V

驅動端供電電壓:最高可達25V

4A驅動電流和6A吸收電流

最高150KV/us抗共模瞬態干擾度

19ns典型傳播延遲

5ns最大傳輸延遲匹配

6ns最大脈沖寬度失真

可編程死區時間

AEC-Q100認證

過流、過溫保護機制

工作溫度范圍:-40℃~125℃

順應拓展5G應用、建設充電樁、推廣新能源汽車等新基建浪潮,NSi6602可應用于5G 通信電源中PSU、二次電源、電源磚等領域,同時在數據中心、充電樁及車載電源等能源密集型場景中也有著廣泛的應用前景,為新基建的多種應用提供強大的安全保障。

納芯微推出國內首款隔離半橋驅動芯片,加速新基建中隔離器件國產化

圖:NSi6602功能框圖

NSi6602提供豐富的封裝組合,包括LGA13、SOW14、SOW16、SOP16等,均通過UL1577及VDE安規認證,可應用于各類中大功率開關電源系統,給予客戶更多個性化選擇。其中,SOW16及SOW14兩種封裝形式已通過AEC-Q100認證,將有助于新能源汽車車載電源的國產化進程加速。

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