現(xiàn)在的 MOS 驅動，有幾個特別的需求

1、低壓應用

當使用 5V 電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于三極管的 be 有 0.7V 左右的壓降，導致實際最終加在 gate 上的電壓只有 4.3V。這時候，我們選用標稱 gate 電壓 4.5V 的 MOS 管就存在一定的風險。

同樣的問題也發(fā)生在使用 3V 或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致 PWM 電路提供給 MOS 管的驅動電壓是不穩(wěn)定的。

為了讓 MOS 管在高 gate 電壓下安全，很多 MOS 管內置了穩(wěn)壓管強行限制 gate 電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低 gate 電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS 管工作良好，而輸入電壓降低的時候 gate 電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3、雙電壓應用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的 5V 或者 3.3V 數(shù)字電壓，而功率部分使用 12V 甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的 MOS 管，同時高壓側的 MOS 管也同樣會面對 1 和 2 中提到的問題。

在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的 MOS 驅動 IC，似乎也沒有包含 gate 電壓限制的結構。

MOS 驅動有如下的特性：

1、用低端電壓和 PWM 驅動高端 MOS 管。

2、用小幅度的 PWM 信號驅動高 gate 電壓需求的 MOS 管。

3、gate 電壓的峰值限制

4、輸入和輸出的電流限制

5、通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

6、PWM 信號反相。NMOS 并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。