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將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

2019-08-13 17:31 來源:ADI 編輯:電源網

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設計選擇的。

本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件,采用Microsemi Corporation®專有的視場光闌IGBT技術。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關頻率,以及由于對稱設計,具有低雜散電感的軟恢復并聯二極管。選定IGBT模塊的高集成度可在高頻率下提供最優性能,并具有較低的結至外殼熱阻。

使用ADI公司的柵極驅動技術驅動IGBT。ADuM4135柵極驅動器是一款單通道器件,在>25 V的工作電壓下(VDD至VSS),典型驅動能力為7 A源電流和灌電流。該器件具有最小100 kV/μs的共模瞬變抗擾度(CMTI)。ADuM4135可以提供高達30 V的正向電源,因此,±15 V電源足以滿足此應用。

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圖1.ADuM4135柵極驅動器模塊

測試設置

電氣設置

系統測試電路的電氣設置如圖2所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入,900 μF (C1)的解耦電容添加到輸入級。輸出級為200 μH (L1)和50 μF (C2)的電感電容(LC)濾波器級,對輸出進行濾波,傳送到2 Ω至30 Ω的負載(R1)。表1詳述了測試設置功率器件。U1是用于HV+和HV?的直流電源,T1和T2是單個IGBT模塊。

完整電氣設置如圖3所示,表2詳細列出了測試中使用的設備。

圖片1

圖2.系統測試電路的電氣設置

表1.測試設置功率器件

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表2.完整設置設備

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圖3.柵極驅動器配電板測試的連接圖

測試結果

無負載測試

在無負載測試設置中,在模塊輸出端汲取低輸出電流。在此應用中,使用一個30 Ω的電阻。

表3顯示無負載的電氣測試設置的重要元件,且負載內的電流低。表4顯示在模塊上觀察到的溫度。表3和表4總結了所觀察到的結果。圖5至圖10顯示各種電壓和開關頻率上的開關波形的測試結果。

如表3中所示,測試1和測試2在600 V電壓下執行。測試1在10 kHz開關頻率下執行,測試2在20 kHz開關頻率下執行。測試3在900 V電壓下執行,開關頻率為10 kHz。

圖4顯示無負載測試的電氣設置。

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圖4.無負載測試的電氣設置

表3.無負載測試,對應插圖

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1 VDC是HV+和HV?電壓。

2 IIN表示通過U1的輸入電流。

表4.無負載測試,溫度總結1

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1 所有溫度都通過熱攝像頭記錄。

2 從變壓器測得。

開關IGBT的性能圖

此部分測試結果顯示不同目標電壓下的開關波形,其中fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS是漏極-源極電壓,VGS是柵極-源極電壓。

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負載測試

測試配置類似于圖2所示的測試設置。表5總結了觀察到的結果,圖11至圖16顯示各種電壓、頻率和負載下的測試性能和結果。

測試4在200 V、10 kHz開關頻率下執行,占空比為25%。測試5在600 V、10 kHz開關頻率下執行,占空比為25%。測試6在900 V、10 kHz開關頻率下執行,占空比為25%。

表5.負載測試

表5

1 IOUT是負載電阻R1中的輸出電流。

2 VOUT是R1兩端的輸出電壓。

3 POUT是輸出功率(IOUT × VOUT)。

開關IGBT的性能圖和無負載測試

此部分測試結果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標電壓下的開關波形。

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標簽: ADI

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