柵極電荷。Qgs, Qgd

Qgs:指的是柵極從0v充電到對應電流米勒平臺時總充入電荷（實際電流不同，這個平臺高度不同，電流越大，平臺越高，這個值越大）。這個階段是給Cgs充電（也相當于Ciss，輸入電容）。

Qgd:指的是整個米勒平臺的總充電電荷（在這稱為米勒電荷）。這個過程給Cgd（Crss，這個電容隨著gd電壓不同迅速變化）充電。

下面是型號stp75nf75.

我們普通75管Qgs是27nc，Qgd是47nc。結合它的充電曲線。

進入平臺前給Cgs充電，總電荷Qgs 27nc，平臺米勒電荷Qgd 47nc。

而在開關過沖中，mos主要發熱區間是粗紅色標注的階段。從Vgs開始超過閾值電壓，到米勒平臺結束是主要發熱區間。其中米勒平臺結束后mos基本完全打開這時損耗是基本導通損耗（mos內阻越低損耗越低）。閾值電壓前，mos沒有打開，幾乎沒損耗（只有漏電流引起的一點損耗）。其中又以紅色拐彎地方損耗最大（Qgs充電將近結束，快到米勒平臺和剛進入米勒平臺這個過程發熱功率最大（更粗線表示）。

所以一定充電電流下，紅色標注區間總電荷小的管子會很快度過，這樣發熱區間時間就短，總發熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過開關區。

導通內阻。Rds（on）。這個耐壓一定情況下是越低越好。不過不同廠家標的內阻是有不同測試條件的。測試條件不同，內阻測量值會不一樣。同一管子，溫度越高內阻越大（這是硅半導體材料在mos制造工藝的特性，改變不了，能稍改善）。所以大電流測試內阻會增大（大電流下結溫會顯著升高），小電流或脈沖電流測試，內阻降低（因為結溫沒有大幅升高，沒熱積累）。有的管子標稱典型內阻和你自己用小電流測試幾乎一樣，而有的管子自己小電流測試比標稱典型內阻低很多（因為它的測試標準是大電流）。當然這里也有廠家標注不嚴格問題，不要完全相信。

總結：所以選擇標準是------------找Qgs和Qgd小的mos管，并同時符合低內阻的mos管。