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近些年，硅基半導體已經越來越接近材料的物理極限，我們雖不敢斷言未來硅基半導體難再突破，但是從學術端和企業研發釋放的信號來看，硅基半導體的潛力確實有限了，未來突破的方向將愈發收窄。
基于這樣的大背景，并且隨著工業、汽車等市場需求的增加，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的重要性與優越性逐漸凸顯出來。以汽車領域為例，由于SiC器件能夠實現更高效率和頻率，同時器件體積大幅度下降，SiC器件對于IGBT取代的呼聲越來越高。
在中國領先的電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理展覽會暨研討會——上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）上，PI高級應用工程師王皓與大家分享了題為《全碳化硅模塊應用的驅動方案》的技術報告。
【圖為王皓在PCIM Asia國際研討會上發言】
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