加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 6 月 7 日 – 亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7000/-1，該器件采用高達 150V 的電源電壓工作。其內部充電泵全面強化一個外部 N 溝道 MOSFET 開關，因而使之能無限期地保持導通。LTC7000/-1 的強大 1Ω 柵極驅動器能夠以非常短的轉換時間驅動大柵極電容 MOSFET，這非常適合高頻開關和靜態(tài)開關應用。

LTC7000/-1 可在 3.5V 至 135V (150VPK) 輸入電源范圍和一個 3.5V 至 15V 偏置電壓范圍內工作。它通過監(jiān)視一個與外部 MOSFET 之漏極串聯(lián)的外部檢測電阻器兩端之電壓來檢測過流情況。當 LTC7000/-1 檢測到開關電流超過某個預設水平時，則確定一個故障標記，并關斷開關一段時間，而這段時間是由一個外部定時電容器設定。在經過一個預定的時間段之后，LTC7000/-1 自動執(zhí)行重試操作。

LTC7000/-1 專為接收一個參考于地的低電壓數(shù)字輸入信號和快速驅動一個漏極電壓會高出地電位達 150V 的高壓側 N 溝道功率 MOSFET 而設計。13ns 的快速上升和下降時間 (當驅動一個 1000pF 負載) 最大限度降低了開關損耗。LTC7000 是全功能器件并具有比 LTC7000-1 更多的特點，包括使能、過壓閉鎖、可調電流限制和電流監(jiān)視。

LTC7000 采用 MSOP-16 封裝，而 LTC7000-1 則采用 MSOP-16 (12) 封裝，后者去掉了 4 個引腳以提供高電壓間隔。該器件可提供三種工作結溫等級，擴展和工業(yè)版本為 –40°C 至 125°C，高溫汽車版本為 –40°C 至 150°C，而軍用等級則為 –55°C 至 150°C。千片批購價為每片 2.75 美元。如需更多信息，請登錄 。

照片說明：高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器

性能概要： LTC7000/-1

· 寬 VIN 工作電壓范圍：3.5V 至 135V (150V 絕對最大值)

· 100% 占空比能力

· 1Ω 下拉、2Ω 上拉以提供快速接通和斷開

· 短路保護

· 自動重啟定時器

· 漏極開路故障標記

· 集成的自舉二極管

· 可調的接通轉換速率

· 3.5V 至 15V 偏置電源

· 可調電流限制 (LTC7000)

· 電流監(jiān)視器輸出 (LTC7000)

· 可調輸入欠壓和過壓閉鎖 (LTC7000)

本文給出的報價僅供預算之用。各地報價可能因當?shù)仃P稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。