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Linear μModule穩壓器用于DDR和QDR4

2016-04-15 13:26 來源:電源網 編輯:Bamboo

加利福尼亞州米爾皮塔斯(MILPITAS,CA) 2016年4月14日 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出三路輸出μModule(電源模塊)穩壓器LTM4632,用于為新型QDR4和較老式的DDR SRAM之所有三個電壓軌供電:VDDQ、VTT、VTTR(或VREF)。LTM4632采用一個微型、輕量和超薄的LGA封裝(6.25mmx6.25mmx1.82mm),其可焊接在PCB的背面,配合采用一個電阻器和三個電容器時,占板面積僅為0.5cm2(雙面)或1cm2(單面)。一個LTM4632能提供3A VDDQ和±3A VTT(=1/2*VDDQ),所以兩個并聯的LTM4632能夠為較大的存儲器組提供高達每電源軌6A。對于超過6A的VDDQ,LTM4632可配置為與LTM4630一起給大型SRAM陣列提供介于18A和36A之間的VDDQ。如果VDDQ已經可用,則可配置LTM4632以提供一個高達6A的兩相單路VTT輸出。

LTM4632可采用一個3.3V的低輸入電源、以及標準的5V和12V輸入(最高15V)工作。兩個輸出電壓(VDDQ和VTT)的范圍均為0.6V至2.5V。第三個輸出是一個用于SRAM之VTTR的低噪聲10mA緩沖輸出。應用包括PCIe、基于云的系統、RAID、視頻處理和采用這些SRAM的網絡:DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+和QDR4。

LTM4632包含一個三路輸出DC/DC穩壓器、電壓除二電路、電源開關、電感器和支持組件,采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632的額定工作溫度范圍為-40°C至125°C。E級版本的千片批購價為每片7.35美元,而I級版本的千片批購價則為每片8.09美元。

用于DDR-QDR4存儲器電源的超薄μModule穩壓器
用于DDR-QDR4存儲器電源的超薄μModule穩壓器

性能概要:LTM4632

·占板面積為1cm2(單面PCB)或0.5cm2(雙面PCB)的完整DDR/QDR4存儲器電源解決方案

·3A VDDQ+3A VTT或兩相單路6A VTT

·寬輸入電壓范圍:3.6V(VIN連接至INTVCC)至15V

·0.6V至2.5V輸出電壓范圍

·±1.5%、±10mA緩沖VTTR=VDDQ/2輸出

·外部頻率同步

·超薄型6.25mmx6.25mmx1.82mm LGA封裝

本文給出的美國報價僅供預算之用。各地報價可能因當地關稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。

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