關于反激開關管中的Vds電壓尖峰波形問題，是許多電源工程師在設計測試電源中的常見問題，而且有時采用一些方法后仍然無法避免尖峰波形的出現(xiàn)。很多初學者往往希望通過公式計算來影響和避免尖峰波形，但因為在實際電路中影響的因素非常廣泛，而且每個電源都有不同的設計問題，因此我們這里提供的是一種調試方向。本文中針對反激開關管的Vds電壓尖峰問題進行定性分析，從而為降低此尖峰提供指導方向。

下面的示意圖對解決反激開關管的Vds電壓尖峰問題有幫助。首先來看看MOS應力公式：(理想化處理，不影響結論)Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5

這里兩個主要參數(shù)的意義：Lk是變壓器漏感(實際還應包含PCB寄生電感)；C1為RCD鉗位電容(實際還應包含MOS DS兩端的電容，一般遠小于C1，故忽略)。見下圖：

同時上圖也標注出了具體如何實現(xiàn)以及對可能的副作用進行確認。對于大家碰到的開關管Vds電壓尖峰問題，90%以上可以采用圖中的方法解決，不再為電壓尖峰煩惱。

如果圖中采用的方法還解決不掉，就需要更加細化，可以采用以下幾個整改方向：

1、layout走線優(yōu)化(功率回路盡量短，使pcb電感盡量小；同時也注意RCD的走線，這里除了會影響尖峰，也會影響傳導的高頻段和輻射)；

2、調整RCD中的D；(需要重新確認效率、傳導、輻射)

3、調整RCD中的R；(需要重新確認效率、傳導、輻射)

4、一般Rsense到IC CS pin都有個RC，調整RC時間常數(shù)；(需要重新確認過功率點)

5、調整副邊二極管的吸收參數(shù)。(需要重新確認效率、傳導、輻射)

圖一中的方法加上以上的5鐘方法，基本上可以解決所有電壓尖峰問題。對于反激的大部分應用，用600V的MOS就夠了。當然了，有特殊要求，如有較大裕量要求的，可能就要用更高耐壓的MOS了，但一般對效率不利。