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美高森美瞄準(zhǔn)RF較大功率和較高電壓的MOSFET器件

2013-09-22 11:02 來源:電源網(wǎng) 編輯:娣霧兒

致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列,兩款更大功率、更高電壓(V)VRF2944和VRF3933器件經(jīng)設(shè)計在2-60megahertz(MHz)的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)頻率范圍運作,目標(biāo)應(yīng)用包括需要大功率和高增益而不影響可靠性、穩(wěn)定性或互調(diào)失真的商業(yè)和國防RF功率和寬帶通信。

與包括SD2933的競爭器件相比,業(yè)界領(lǐng)先的VRF2944器件在50V供電電壓下提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件允許客戶將現(xiàn)有系統(tǒng)的功率增加33%,或減少其RF功率系統(tǒng)的每瓦費用。此外,通過在MOSFET器件上集成一個柵極電阻來提升寄生阻抗,以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前代產(chǎn)品VRF2933相似,能夠在最高65V供電電壓下運作,單一VRF2944器件可以提供675W輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高100V供電電壓下運作,并且提供300W輸出功率,較高電壓MOSFET器件還具有較高的輸出阻抗,可以更便利地匹配50Ω負(fù)載。例如,四個VRF3933器件兩兩并聯(lián),而且這兩個并聯(lián)對器件采用推挽式,能夠通過4:1變壓器,使用83V供電電壓向50Ω負(fù)載發(fā)送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產(chǎn)品系列的主要特性包括:

· 高于大多數(shù)競爭器件的電壓實現(xiàn)較高的輸出功率:Po與V2成比例;

· 氮鈍化芯片具有高可靠性;

· 金涂敷和金線粘接獲得更高的可靠性,并且

· 通過美高森美的應(yīng)用工程技術(shù)團(tuán)隊獲得設(shè)計支持

標(biāo)簽: 大功率 高電壓 MOSFET器件

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