在電源網(wǎng)論壇里，就存在這樣一些人，他們時常能DIY出被網(wǎng)友們稱之為的經(jīng)典設(shè)計，出于大家能夠共同學(xué)習(xí)的目的，小編抓住了難得的機(jī)會，整理了這些經(jīng)典帖，供分享學(xué)習(xí)。

本文設(shè)計分享來自“老梁頭”的精華帖。--------小編語

自己以前沒搞過反激準(zhǔn)諧振(QR)模式，前一陣子趁有點時間自己搞了一臺，用的NCP1207，想改公司一個24V輸入轉(zhuǎn)28V1A輸出的產(chǎn)品試試結(jié)果畫好板了，一看NCP1207的最低輸入電壓為40V，傻眼了算了，不改了就當(dāng)自己做實驗玩吧。

改了個48輸入12V3A輸出的反激準(zhǔn)諧振小電源，等焊好一上電，沒反應(yīng)，后來慢慢搞，終于有輸出了，發(fā)現(xiàn)NCP1207的3腳過流那個點很不好調(diào)，以后要記著了最后調(diào)出來了，12V2.5A的時候效率最高，92的樣子，3A的時候效率90，自我感覺還不錯。估計還有提升的可能，后來想著怎么也做出來了，就研究下RC取值對MOS的VDS尖峰和電源整體效率的影響。然后開始在網(wǎng)上和論壇上找些關(guān)機(jī)計算RCD中的RC計算公式，然后和實驗比對下看看是否合理!

先看最早的一張，初級RCD，R用的68K，C用的471P。D用的RS1M。D一直未作改動，下邊統(tǒng)一叫初級和次級。次級RC沒有加，峰峰值為196V!(次級我是在變壓器兩端加的，沒有加在整流管的兩端!)

第二張，想著把次級的加個小吸收，看看對初級的影響。初級R=68K，C=471P;次級R=22R,C=471P.峰峰值為190v

第三張，初級不動，R=68K,C=471P;把次級的C加大，次級R=22R，C=681 P，峰峰值還是為190V

第四張，接著加大次級電容，初級R=68K，C=471P;次級R=22R，C=102P.峰峰值小了2V，188V了

第五張，繼續(xù)加大次級電容，初級R=68K，C=471P，次級C=472P ，把R去掉了，峰峰值160V了。(主要是考慮R會消耗能量影響效率!)

第六張，感覺次級加大不太明顯，就加下初級吧，先把初級的C加大吧，直接吸得狠點,結(jié)果初級R=68K，C=472，次級直接RC取消了，峰峰值168V，還管點事

第七張，那把次級加個RC吸收啥效果呢，初級R=68K,C=472P;次級R=22R,C=102P;峰峰值156V，又下來點!

第八張，把次級還直接搞到472試試，初級還是R=68K,C=472P;次級C=472，R還去掉，峰峰值150V了

以上八張說明電容對MOS的峰值有影響，但也不能太大，還有一個可調(diào)的點一直沒調(diào)呢，調(diào)調(diào)那個點試試

第九張，還是初級電容從小到大，所以初級C=471P,R=68K/2;次級無,峰峰值194V，基本和68K沒啥變化

第十張 ，初級電容C=471P不變，電阻R=68K/3，次級還是沒有，峰峰值還是194V，和上邊沒啥區(qū)別啊

第十一張，接著減小初級R的值,C=471P,R=68K/4，次級無，峰峰值還是194V，無語了，難道R不管事，非也，接著往下看!

第十二張，既然這樣，我把初級的C加大呢，是不是C的容值太小，吸收的能量太小!所以直接上到472，初級C=472，R=68K/2;次級還是沒有，峰峰值154V，效果出來了

第十三張，我接著減小初級R的值，C=472P,R=68K/3;次級無，峰峰值150V，比起上邊來，下降的不明顯了。

第十四張，繼續(xù)減小R的值，C=472P,R=68K/4，次級無，峰峰值146V，確實是下降不明顯了，該考慮新方法了!

第十五張，上邊減小電阻，變化不太明顯了，那還把次級的吸收加進(jìn)去呢，初級我用的C=472P,R=15K;次級C=102R=22R。峰峰值136V，不錯哦!

第十六張，我要是接著減小初級R電阻值呢，下邊出來了，C=472P,R=10K;次級C=102P,R=22R。峰峰值130V，又下去了點

第十七張，我要繼續(xù)減小初級R的值呢，C=472P,R=5.1K;次級C=102P,R=22R,峰峰值132，沒下去哦，而且效率直接掉了還幾個點，看來是不能太小哦

從上邊的實驗可以看出，RCD吸收中的RC選擇要合理，否則不是起不到應(yīng)有的效果就是影響效率。后面我在補(bǔ)充一種計算RCD的計算方法，看看算出來的和實際用的有多殺差別!

RCD的計算方法

先上個RCD鉗位的原理圖

再上個MOS的VDS波形

下面再說幾個名詞，這幾個名詞其實大家也知道，一個是鉗位電壓，上邊用Vsn表示;一個是折射電壓，上邊用VRO表示;還有個脈動電壓，上邊用ΔV表示;MOS管的最大耐壓，上邊用BVdss表示;電源的最高輸入電壓，上邊用Vin max表示。

1.鉗位電壓Vsn是電容C兩端的電壓，與選用MOS的BVdss及最高輸入電壓以及降額系數(shù)有關(guān)，一般在最高輸入電壓Vin max下考慮0.9的降額，則有

Vsn=0.9*BVdss-Vin max(我上邊的實驗選擇的MOS為IRF640，BVdss=200V，Vin max=70V)

可以算出鉗位電壓Vsn為110V

2.然后算折射電壓VRO，根據(jù)VRO=(VOUT+VD)/(NS/NP)

式中VOUT為輸出電壓

VD為二極管管壓降

NS為次級匝數(shù)

NP為初級匝數(shù)

我的初級NP為31匝，次級NS為10匝，管壓降VD≈1V，輸出電壓VOUT=12V

算出VRO=(12+1)/(10/31)=40V

3.確定漏感量LIK，這個可以通過測試得出，我的實測了下為2.79uH;不過可以估測此漏感值，一般為初級電感量的1%-5%;

4.確定峰值電流IPK的值

輸入功率PIN=POUT/η，

式中POUT為輸出功率

η為效率

我的輸出電壓為12V，電流為3A，假設(shè)效率為80%;

代入式中得PIN=12*3/0.8=45W

算出平均電流Iin-avg=PIN/Vin min

式中Vin min為最小輸入電壓

我的最小輸入是40V，也就是1207的最低輸入電壓。

代入式得Iin-avg=45/40-1.125A

確定峰值電流IPK=2*Iin-avg/δmax

式中δmax為最大占空比

我的設(shè)的為0.5

代入式得IPK=2*1.125/0.5=4.2A

5.確定鉗位電阻R的值，根據(jù)公式R=2(Vsn-VRO)*Vsn/LIK*IPK*IPK*fs

式中fs為開關(guān)頻率

IPK*IPK為IPK的平方，俺不會寫

我的頻率fs為50Khz

代入式得R=【2*(110-40)*110】/【2.79*4.2*4.2*50k】

R=27K(注：這算錯了，下邊電容也就不對了哦，但公式是對的，我不改了就按錯的來吧，最后算出來適當(dāng)調(diào)整下···)

6.確定R的功率PR=Vsn*Vsn/R

代入數(shù)值得PR=110*110/27000=0.448W可以用1W的電阻

我手頭沒有1W27k電阻所以用個30K吧

7.確定鉗位電容C的值

我們前邊一直把C的點電壓VC當(dāng)成不變的處理，實際是有波動的，因為有漏感等雜散電感的影響，所有會有所波動，一般這個脈動電壓ΔV取鉗位電壓Vsn的5%-10%，我們這取10%吧，所以ΔV=11V

鉗位電容的值C=Vsn/ΔV*R*fs

帶入值得C=110/11*27k*50k=0.0074uF

這里我們選個C=0.01uF的也就是103PF的電容

回頭我把實驗結(jié)果和波形放上來!

1.初級用了1C=03 R=30K,次級R=22R,C=102，峰峰值160V

2.我把初級R又并了個30K，R=15K了，別的沒動，峰峰值150V了

我又把初級C=103改為472，R=15K，次級沒動，峰峰值又到138V了

我想看看要是不動電阻呢，按算的來，把并的那個30K去掉，C=472，次級不動，峰峰值150V

以上總結(jié)，算出來的結(jié)果還得再試驗中得到驗證，只能做個參考;所以我們應(yīng)以計算為基礎(chǔ)，根據(jù)實驗來回調(diào)整，找到一個更適合你的值。還有吸收電阻R一定要考慮降額使用，滿足功率要求。

以上僅代表個人觀點，每個工程師要根據(jù)自己的產(chǎn)品做出適當(dāng)?shù)倪x擇。以上內(nèi)容僅供參考!