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基于MOSFET與變壓器原邊串聯(lián)的RCD緩沖電路選擇

2013-08-28 17:12 來源:電源網(wǎng) 編輯:兔子

對于MOSFET,工作時候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關斷時候會承受一個很高的電壓尖峰。

為了減小這個尖峰,我們使用RCD緩沖電路。如圖:

1

RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋變壓器的RCD。后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗。

RCD工作時候,由于釬位關系將開關管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關管集電極或者漏級電壓上升速度減緩。之后C通過電阻R放電,或者將能量轉移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng)。

C的取值需要足夠的大,使得開關管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關管不受到?jīng)_擊。而C因為損耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快。只需要在Ton的時間內保證C在下次開關管關斷時候放完電荷就可以了。

標簽: MOSFET RCD

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