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如果不需要隔離的話這個效率用boost可以做到，但是電感要用中心抽頭的。

當Q2開通前，其兩端的電壓近似等于Vin/2

“Q2先導通，由于復位已完成，Q1還處在截至狀態，故Q2是處于零電壓，零電流的狀態下導通的，其開通損耗基本為零。Q1的Vds為Vin.”這句話里的“零電壓，零電流的狀態下導通的”應該只能說是零電流導通，并不滿足零電壓導通條件

0電壓關斷是指在關斷全過程都是0電壓，這樣才是關斷0損耗，現在這個先關斷的在關斷全過程并不全是0電壓，因此這里是有關斷損耗的

是上管還是下管不重要，請將延時開通與延時關斷分開仿真試一下，也就是同時開通延時關斷與延時開通同時關斷

開通時，先開通的為0電流開通，因此先開通的損耗小，有優勢；關斷時，后關斷的為0電流關斷，這是在不考慮磁復位的情況下，如果考慮磁復位的情況那么在這個MOS關斷之前磁復位電流將要經過這個后關斷的MOS，這時候就不太好說誰有優勢了

這時的沿面距離會沿光耦表面過去，因此開槽無效，除非光耦本體與PCB之間的空間距離足夠

你的光耦是貼片的，平貼PCB銅鉑面，這時候PCB開槽就失去了意義，這時只能當爬電距離不能當做是空間距離

這個是對的

還是這樣拿事實說話的好