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好帖欣賞學習。逆變器用IGBT很不錯，不過，如果用了碳化硅MOS和碳化硅二極管，損耗更小，效率更高，效率可以提高5%，這是非常高的提高，dmgdlee

又是大圖欣賞，頂。溫度這么高，要不要試試碳化硅二極管，更耐溫，損耗更小，效率提高3%。dmgdlee

用心了，必須精品。高性價比的MOS選用一下，dmgdlee

wei:dmgdlee,有幾款，電壓650V?

提供IGBT,SICMOSFET,SICSBD

引薦一下IGBT,或是碳化硅MOS，支持國產化

有三款1200V,42A的，內阻80毫歐，只是封裝不一樣，

變頻器確實離不開IGBT,但是，現在不一樣了。現在碳化硅的發展在如火如荼，碳化硅各項指標都遠勝于IGBT，所以說碳化硅大面積取代IGBT是大勢所趨。

IGBT是個好產品，但是碳化硅在耐壓耐流耐溫等，在技術指標方面都是遠勝于IGBT的。就是有2個問題在困擾著碳化硅，一個是價格，二一個產能。就是因為產能慢，造成價格高。目前大家已經知道碳化硅全面優于IGBT，所以都在大力改善產能問題，一旦，產能起來，價格下來，碳化硅就會普及。目前一些高端市場已經都在使用碳化硅了