Frank_Chen_71：
全橋的優(yōu)點(diǎn)多了去。1.MOSFET耐壓降低。目前100V以下的MOSFET型號(hào)多如繁星，Rdson普遍在2mR左右，比高壓MOSFET內(nèi)阻低2/3,電流普遍150安以上，雙管達(dá)到300安,價(jià)格5元左右親民，雙管全橋才用8個(gè)，成本40多元，輸出就能3000W簡(jiǎn)直爽歪歪。而且抗過載電流余量超級(jí)大。一句話好用又便宜。2.變壓器進(jìn)一步優(yōu)化，內(nèi)阻更低。3.電路簡(jiǎn)化，省掉了啟動(dòng)保護(hù)的預(yù)充電電路，進(jìn)一步降低了成本。