dy-Pihfvr5I：
剛剛沒(méi)說(shuō)清楚MOS管有id(on)id和idm這三個(gè)分別是導(dǎo)通漏極電流 連續(xù)漏電流和最大漏電流 id(on)就是你今天問(wèn)的on-statedraincurrent這個(gè)是有條件的VGS=10VVDS=7.5V你可以認(rèn)為是這個(gè)狀態(tài)下的id只會(huì)給一個(gè)下限因?yàn)镸OS管漏極電流Id與漏源電壓Vds和柵源電壓Vgs都有關(guān)系比如 N溝道增強(qiáng)型MOS管 當(dāng)Vgs一定時(shí)，vds增大id一般也會(huì)增大具體參考曲線圖Id就是MOS管的連續(xù)漏極電流一般滿足手冊(cè)上的VGS然后和溫度呈現(xiàn)非線性關(guān)系idm就是最大的脈沖電流 所以你參考MOS管的載流能力的時(shí)候都會(huì)考慮id(on)id和idm