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我們的實驗條件比較差,沒有電流探頭,只能用電流互感器間接測量了.

謝謝您的回復。現(xiàn)在負載確實很輕，但是負載越重，電流越大，振蕩也就隨之更加劇烈呢。

自己頂一下。請各位前輩幫忙看看，小弟先謝謝了！

謝謝回復。我目前管子的參數(shù)感覺還可以，數(shù)據(jù)手冊如下：同步整流MOS管如果換管子的話主要是改進什么參數(shù)呢？

抱歉，問題沒有解決，這個項目也暫時擱置了。。。

老板直接定的，不能做這么高嗎？

好的，謝謝你的建議，我下來試試。

謝謝您的回復。那PSIM能仿真出這種現(xiàn)象不？我現(xiàn)在的仿真就是輕載的時候都很好的實現(xiàn)了軟開關(guān)，與實際的不一致。怎么建模仿真才能仿真出輕載有硬開關(guān)的現(xiàn)象呢？

哦，好的，我下來降頻試試。打算工作在CCM模式。

對，從仿真上看電流反向了，電容反向充電了。減小死區(qū)時間可以解決這個問題，但死區(qū)時間不能無限小，受到MOS器件參數(shù)的限制。