wzp0214:
氮化鎵材料的功率器件具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強度大、飽和電子漂移速度高、介電常數小以及良好的化學穩定性等特點,特別是基于GaN的AlGaN/GaN結構具有更高的電子遷移率,使得GaN器件具有低的導通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。隨著GaN襯底材料進步,以及GaN器件本身所具有的優良性能,異軍突起的GaN功率半導體具有極其廣闊的應用前景,相信在不久的將來GaN功率器件會大量應用于軍事和民用的各個領域,使其成為高性能低成本功率管理系統解決方案。