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你這個(gè)效率低是你的防止EMI的參數(shù)設(shè)計(jì)不合理.你峰值電流檢測的RC參數(shù)太小了.這樣你的CS波形就不好看.你這個(gè)線路是工作在非連續(xù)模式.你可以將變壓器的自感值加大

我覺得可能是溫度過高,導(dǎo)致mos的內(nèi)阻增大,以致發(fā)熱更高,成一個(gè)惡性循壞,所以不停的燒MOS,你在高溫箱里溫度上升比常溫快.第二個(gè)現(xiàn)象,散熱不足也導(dǎo)致溫度過高.你可以調(diào)大MOS的電流參數(shù),或者改善layout加散熱片散熱.在參數(shù)上選取的話,可以增加變壓器線圈的直徑

我個(gè)人認(rèn)為phaseshiftZVS是通過控制四組mosfet的開關(guān)順序來實(shí)現(xiàn)的,主要目的是為了使mosfet在Vds較小的情況下進(jìn)行切換,我們采取并聯(lián)schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零電壓,還有另外一個(gè)目的是因?yàn)閎odydiode的反向恢復(fù)速度比較慢.好像續(xù)流的不是mosfet本身,是mosfet的bodydiode.這只是在下的一點(diǎn)愚見,還請各位多多指教!

這樣做做的話元件太難選擇了,mosfet要承受這么大的電壓,又要要求體積很小,對于pushpull電路,mosfet就已經(jīng)比較容易損壞了.現(xiàn)在這項(xiàng)研究有成果嗎?

好像沒有吧,據(jù)我所知,現(xiàn)在做的二合一就只有兩級轉(zhuǎn)換!

你用的是哪個(gè)IC?點(diǎn)多大的負(fù)載?

到目前為止,所有的AC/AC變化全部是先由AC轉(zhuǎn)化為DC,再由DC轉(zhuǎn)化為AC的

你現(xiàn)在變壓器的參數(shù)是多少?

你看一下你得變壓器匝比是否合適你可以自己測一下是高了還是低了,然后再做修改.對于inverter還說得話,變壓器得設(shè)計(jì)很重要.你也可以咨詢一下相關(guān)得變壓器廠商.

你的變壓器設(shè)置不合適,你可以講變壓器的參數(shù)再做修改.